트랜스폼, GaN FET 출하량 25만개 돌파… 파운드리 생산능력 확장성 재확인

GaN 시장, 고전압 GaN 반도체 채택률 확대와 업계 선도주자들의 시장 진출에 힘입어 새로운 전기 맞아

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Transphorm, Inc. 나스닥 TGAN
2018-12-17 11:40
골레타, 캘리포니아--(Business Wire / 뉴스와이어)--고신뢰성 650V 질화갈륨(Gallium Nitride, GaN) 반도체를 설계·제조하는 트랜스폼(Transphorm Inc.)이 25만개가 넘는 고전압 GaN FET를 출하했다고 발표했다.

고객들의 양산형 애플리케이션에 사용되는 본 FET는 업계최초 JEDEC와 AEC-Q101 인증을 받았으며, 일본 아이즈 소재 웨이퍼 파운드리 공장에서 생산된다.

트랜스폼은 또한 아이즈 공장의 연간 생산능력 변경이 용이해서 50mohm 부품 1500만개로 구성된 제품을 기준으로 생산량을 2배에서 5배까지 쉽게 끌어올릴 수 있다고 발표했다. 더욱이 수요만 보장된다면 현재 6인치인 웨이퍼 라인을 8인치 이상으로 변경할 수 있다.

프리밋 파리흐(Primit Parikh) 트랜스폼 공동설립자 겸 최고운영책임자는 “2018년은 고전압 GaN 시장의 판도가 뒤바뀐 해였다”며 “아마존을 비롯한 다양한 채널에서 구입 가능한 고객들의 양산형 고성능 전력 컨버터 및 인버터 제품에 탑재된 트랜스폼의 650V GaN FET가 25만개를 넘어섰다”고 말했다. 이어 “트랜스폼은 지금까지 생산 규모를 바탕으로 보수적으로 추정하건 대 필드 운영 시간은 13억 시간이 넘고, 필드 FIT 레이트는 한 자릿수로 예상한다”며 “더욱이 폭넓은 운영 슈트와 가속 신뢰성 실험을 통해 평균무고장시간(Mean Time Before Failure, MTBF)은 운영 상태에 따라 10억 시간이 넘을 것으로 추정한다”고 덧붙였다.

트랜스폼은 출하한 디바이스의 필드 고장 데이터를 공표한 업계 첫 고전압 GaN FET 공급업체이다. 본 데이터는 PPM(Parts Per Million)과 FIT(failure in time) 기준 필드 고장률을 계산하는데 사용되며, 이를 통해 기술의 신뢰성을 엿볼 수 있다. 필드 데이터의 공표는 고전압 GaN 기술이 성숙 단계에 진입했음을 보여주는 매우 중요한 의미를 담고 있다.

현재 GaN 시장 전망은 매우 긍정적이다. 시장조사기관 욜 디벨롭먼트(Yole Développement)가 조사한 바에 따르면 전력 GaN 시장이 연평균 91%의 성장률[1]을 구가, 2023년에는 최대 4억800만달러 규모에 달할 전망이다. 욜 디벨롭먼트는 급속 충전기, 데이터 센터, 고급 파워서플라이 등이 GaN 시장의 성장을 견인할 것으로 점쳤다.

트랜스폼은 욜 디벨롭먼트가 꼽은 주요 성장 분야에서 다수의 고객을 확보하고 있다. 게임용PC 파워서플라이 공급업체인 커세어(CORSAIR), 서버 파워서플라이 공급업체인 벨 파워(Bel Power)와 델타(Delta), 서보 드라이브 공급업체인 야스가와(Yaskawa), 포터블 파워 공급업체인 이너지(Inergy)와 텔코디엄(Telcodium) 등이 대표적 고객이다. 올해는 무엇보다 넥스페리아(Nexperia)가 출시할 예정인 600V+ GaN FET와 인피니온(Infineon)이 출시한 600V 포토폴리오에 힘입어 GaN 상업화가 큰 진전을 보였다.

마리오 리바스(Mario Rivas) 트랜스폼 최고경영자는 “업계 주요 고객들의 기술 채택과 더불어 고객사의 주문량을 안정적으로 뒷받침하는 공급업체들의 등장은 신기술의 시장수용성을 가늠하는 중요한 벤치마크”라며 “트랜스폼은 고객들과 힘을 합쳐 달성한 성과에 매우 고무돼 있으며, 특히 고전압 전력 반도체 업계의 선두주자인 넥스페리아와 인피니온이 GaN 혁명에 동참해 기쁨이 배가 되었다”고 말했다. 이어 “고객들은 이제 탄탄한 수급 안정성을 바탕으로 에너지 절약형 GaN의 효과를 거둘 수 있다”고 덧붙였다.

트랜스폼의 신뢰성 평가 방법론에 대한 개요는 링크(High Voltage GaN Switch Reliability)를 통해 확인할 수 있다. 구입 가능한 GaN 제품 포트폴리오는 웹사이트(https://www.transphormusa.com/en/products/) 참고.

Transphorm 개요

Transphorm(transphormusa.com)은 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 최고 성능과 최고 신뢰도를 갖춘 GaN 반도체를 설계, 제조 및 판매한다. Transphorm은 가장 큰 Power GaN IP 포트폴리오(전 세계적으로 1000개 이상의 특허 및 특허 출원 중)를 보유하고 있으며 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증 GaN FET를 생산한다. 수직 통합 비즈니스 방식으로 재료, 장치설계 및 제작, 제조, 패키징, 기준 회로설계 및 적용지원의 모든 단계에서 혁신을 가져왔다.

[1] Power GaN 2018: Epitaxy, Devices, Applications and Technology Trends report, Yole Développement, 2018

비즈니스 와이어(businesswire.com) 원문 보기: https://www.businesswire.com/news/home/20181213005155/en/

[이 보도자료는 해당 기업에서 원하는 언어로 작성한 원문을 한국어로 번역한 것이다. 그러므로 번역문의 정확한 사실 확인을 위해서는 원문 대조 절차를 거쳐야 한다. 처음 작성된 원문만이 공식적인 효력을 갖는 발표로 인정되며 모든 법적 책임은 원문에 한해 유효하다.]

웹사이트: http://www.transphormusa.com/

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