하이닉스반도체, 3분기 순이익 5천2백9십억원 달성
이와 같은 경영실적의 개선 요인으로는 계절적인 수요 회복으로 인한 D램 가격의 상승, 급속한 성장세를 보이고 있는 낸드 플래시 메모리의 매출 및 비중확대 그리고 지속적인 생산성 향상을 통한 원가절감 등이라고 설명했다.
또한 지난 2분기 대비 순이익이 크게 개선된 배경은 해외 현지법인 이익 증가에 따른 지분법 평가이익과 현대오토넷 보유지분 매각으로 매도가능증권 처분이익이 발생하여 영업외수익이 크게 증가했기 때문이라고 덧붙였다.
특히 하이닉스반도체는 3분기에 생산성 향상을 통해 D램과 낸드 플래시 제품에서 지난 2분기 대비 각각 약 3%와 80% 이상의 출하량 증가를 달성하는 한편, 300mm 팹인 이천사업장 M10라인의 웨이퍼 생산 능력을 월 2만 5천장 수준으로 증대하였고 90나노 공정기술을 적용한 D램 및 2기가 낸드 플래시 메모리의 생산 확대 등을 통해 원가 절감을 지속하여 수익성은 한층 개선되었다고 강조했다.
본사 기준으로는 매출액 1조4천9백2십억원과 영업이익 3천7백8십억원, 순이익 5천1백2십억원을 기록하여 지난 2분기에 비해 매출액은 약 21%, 영업이익과 순이익은 각각 77%와 115% 증가하였다고 밝혔다.
한편 2003년 3분기 이후 9분기 연속 흑자를 시현하였으며, 지난 7월 12일에는 채권금융기관의 공동관리 절차를 1년 반이나 앞당겨 종료한 바 있는 하이닉스반도체는 현재의 경영성과에 만족하지 않고 ‘첨단 미세공정으로 신속한 전환 및 차세대 기술개발’, ‘300mm 웨이퍼 생산성 향상 및 안정적인 생산능력 확보’, ‘중국공장 건설 및 해외업체와의 전략적 제휴’, ‘경영혁신을 통한 효율적인 경영시스템 구축’ 등을 주요 전략적 과제로 추진하여 세계적인 메모리 반도체 전문기업으로 성장 발전해 나갈 계획이라고 밝혔다.
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