삼성전자, 세계최초 90나노 D램 양산
삼성전자는 이번에 △ 삼성의 독자적인 3차원 트랜지스터 제작 기술인 'RCAT (Recessed Channel Array Transistor)' △ D램의 데이터 저장 특성을 개선하기 위한 '고유전막 기술' △ 나노급 초미세 회로 구현을 위한 '불화아르곤(ArF) 광원' 등의 핵심기술을 적용, 세계 첫 90나노 D램 양산의 쾌거를 이뤘다.
90나노 공정은 512Mb D램에 적용할 경우 기존 0.10미크론(㎛) 대비 약 40%의 생산성 향상을 가져와 제품의 원가경쟁력을 획기적으로 높일 수 있는 첨단 미세 공정기술이다.
삼성전자는 지난해 업계 첫 90나노 2기가 낸드 플래시 양산에 이어, D램 제품에도 업계에서 최초로 90나노 공정을 적용하며, 최첨단 메모리 미세 공정기술의 우수성을 다시 한 번 입증했으며, 차세대 나노급 D램 시장의 주도권도 확보하게 됐다.
한편, 이번에 90나노 공정으로 양산하는 D램 제품은 512Mb DDR 400MHz와 DDR 333MHz로 90나노 D램으로는 업계 최초로 인텔 인증을 획득한 제품이다.
삼성전자는 이번 90나노 512Mb D램의 양산을 시작으로 점차 생산량을 늘려 나갈 계획이며, 올해 말부터는 90나노 DDR2 제품도 양산을 시작하는 등 D램 全제품으로 90나노 공정을 확대해 차세대 대용량 D램 시장을 공략할 계획이다.
시장조사기관 데이터퀘스트에 따르면, 올 하반기부터 D램 시장이 점차256Mb에서 512Mb으로 전환되고, 내년에는 512Mb 제품이 130억불 규모로 주력 제품으로 부상하는 등 '05년 이후 D램 시장은 512Mb 이상의 대용량 D램 위주의 시장으로 재편될 전망이다.
<90나노 512Mb D램 양산 의미>
□ 이번 90나노 512Mb D램 양산은 나노 D램 시대의 본격적인 개막을
알리는 신호탄으로, 삼성전자는 90나노 D램 제품의 조기 양산을 통해 차세대 나노급 D램 시장을 선점해, 치열한 반도체 기술 경쟁에서 지속적인 시장 우위를 지켜 나갈 수 있게 됐다.
□ 특히, 이번 90나노 공정은 기존 0.10미크론 공정에 비해 생산량이 약 40% 나 증가하기 때문에 원가경쟁력 측면에서 512Mb 이후의 대용량 D램 제품에는 필수적으로 적용돼야 할 공정기술로 분석되며, 삼성전자가 업계 처음으로 D램 생산에 적용함으로써, 강력한 원가경쟁력을 바탕으로 시장지배력이 더욱 강화될 것으로 분석된다.
□ 올해 하반기는 D램 시장의 주력제품이 256Mb에서 512Mb 이후의 대용량 D램으로 넘어가는 전환기로 예상되며, 90나노 512Mb D램은 D램 시장의 급속한 전환을 주도할 것이다.
삼성전자 개요
삼성전자는 반도체, 통신, 디지털 미디어와 디지털 컨버전스 기술을 보유한 글로벌 리더다. 삼성전자는 디지털 어플라이언스 부문, 디지털 미디어 부문, LCD 부문, 반도체 부문, 통신 네트워크 부문 등 5개 부문으로 이뤄져 있다. 세계에서 가장 빠르게 성장하는 브랜드인 삼성전자는 스마트폰, 디지털 TV, 메모리 반도체, OLED, TFT-LCD 분야에서 세계 선두 주자다.
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