트랜스폼, 차세대 제품군에 GaN FET 2종 추가

새로운 표면 실장 트랜지스터 소자, 다양한 애플리케이션에서 믿을만한 고전압 GaN 기능 요구 증가에 부응

뉴스 제공
Transphorm, Inc. 나스닥 TGAN
2019-09-16 11:39
골레타, 캘리포니아--(Business Wire / 뉴스와이어)--최고의 신뢰도를 자랑하는 고전압(HV) 질화갈륨(GaN) 반도체 설계 및 제조 분야를 선도하는 트랜스폼(Transphorm Inc.)이 자사 최초의 3세대 PQFN88 트랜지스터를 11일 발표했다.

신제품 650V 트랜지스터 소자는 TP65H070LSG(소스 탭)과 TP65H070LDG(드레인 탭) 등 두 가지 버전으로 출시되며 72 밀리옴의 온저항을 제공한다.

세계적 명성의 3세대 플랫폼 신뢰도 강화

2018년 출시된 트랜스폼의 3세대 트랜지스터 소자는 최고의 품질과 최고의 신뢰도를 자랑하는 [Q+R] 질화갈륨 전계효과 트랜지스터(GaN FET)로 시장에 출시되었다. 이 트랜지스터는 맞춤형으로 설계된 고전압 모스펫(MOSFET)과 GaN FET이 쌍을 이루어 다음과 같은 특징을 제공한다.

· 소음이 적은 스위칭
· 외부 회로망을 최소화하여 높은 전류 레벨에서 더 우수한 성능 제공
· 잡음 여유도 향상(기준 전압 4V 기준)
· 향상된 게이트 강인성(+/- 20 V 기준)

3세대 드레인 및 소스 PQFN88 패키지에는 보드 레벨 신뢰성(BLR) 향상을 위해 더 넓은 핀이 포함되어 있는데 이는 다중 계층 인쇄회로기판(PCB) 설계의 신뢰도를 높여준다. 또한 드레인 및 소스 탭 구성환경 제공은 상단 및 하단 스위치 위치 모두를 수용한다. 이는 대형 패드가 비 스위칭 노드에 연결될 때 방사 내성을 높여준다. 더 나아가 기존의 3세대 TO-XXX FET 제품군에 PQFN88 소자를 추가하면 엔지니어들은 트랜스폼의 최신 기술을 이용해 GaN 기반 표면 실장 애플리케이션을 연구할 수 있는 기회를 얻게 된다.

트랜스폼의 글로벌 기술 마케팅 및 북미 세일즈 담당 부사장인 필립 죽(Philip Zuk)은 “우리는 계속해서 GaN FET의 신뢰도를 향상시키는 한편 출력 밀도를 더 높이는 데 주력하고 있다”며 “또한 고전압 GaN 기술에 대한 시장의 관심이 지속적으로 커짐에 따라 우리 고객들이 각각의 잠재적인 애플리케이션에 맞는 다양한 소자 선택 옵션을 갖게 하는 것을 목표로 하고 있다”고 말했다. 이어 “이를 위해 75밀리옴의 소스 및 드레인 PQFN88 트랜지스터 소자를 출시함으로써 현재의 제품군을 더 늘리는 한편, 세 가지 목표 모두를 충족시킬 수 있다”고 덧붙였다.

고전압 GaN 파워 일렉트로닉스 채택률이 증가세를 보이고 있는데, 실제로 트랜스폼은 이 기술의 가치 제안을 여실히 보여주는 다양한 용도의 제품(예를 들어, 서버 및 산업용 전원 공급 장치, 게임 PC 용품, 이동식 태양열 발전기 등)을 취급하는 다수의 고객들을 공개한 바 있다.

판매, 가격 및 지원

650 V TP65H070LSG 및 TP65H070LDG (72 mΩ) FET는 현재 1000개당 7.47달러에 판매되고 있다. 지원하는 설계 자원은 다음과 같다.

· TP65H070L 시리즈 데이터시트
· TP65H070L 시리즈 SPICE(전자회로 시뮬레이션) 모델
· 1.2 kW 하프 브리지 벅(buck) 또는 부스트 평가 키트[TDHBG1200DC100-KIT]
· TP65H070L 하프 브리지 도터 카드(daughter card) [TDHB-65H070-DC]
· 트랜스폼 GaN FET 앱 노트에 사용되는 추천 외부 회로망

추가적인 앱 노트와 설계 지침은 트랜지스터 소자 제품(TP65H070LSG 및 TP65H070LDG) 사이트에서 확인할 수 있다.

트랜스폼(Transphorm) 개요

트랜스폼(Transphorm)은 고전압 전력 변환 애플리케이션에 사용되는 최고 성능, 최고 신뢰도의 650 V 및 900 V GaN 반도체를 설계, 제조하고 있다. 대규모 IP 포트폴리오(1000개가 넘는 특허를 보유하고 있거나 출원 중)를 보유하고 있는 트랜스폼의 소자 제품들은 업계에서는 최초로 JEDEC 및 AEC-Q101 인증을 획득한 GaN FET이다.

비즈니스 와이어(businesswire.com) 원문 보기: https://www.businesswire.com/news/home/20190911005241/en/

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웹사이트: http://www.transphormusa.com/

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