키옥시아, 5세대 BiCS FLASH 공개

레이어, 용량, 대역폭이 향상된 차세대 3D 플래시 메모리

2020-01-31 14:03
  • 5세대 빅스 플래시

    5세대 빅스 플래시

도쿄--(Business Wire / 뉴스와이어) 2020년 01월 31일 -- 세계 메모리 솔루션 분야를 선도하는 키옥시아(Kioxia Corporation)가 112층 3차원 수직 적층 구조 플래시 메모리 5세대 빅스 플래시(BiCS FLASH™)를 성공적으로 개발했다고 30일 발표했다.

키옥시아는 2020년 1분기에 특정 애플리케이션을 위해 3중셀(triple-level cell, TLC) 기술 기반 512기가비트(64기가바이트) 용량의 새로운 제품 샘플을 출하할 계획이다[*1]. 신제품은 기존의 모바일 기기, 소비자 및 엔터프라이즈 SSD, 새로운 5G 네트워크, 인공지능, 자동차 기술에 의해 구현되는 신흥 애플리케이션을 포함해 다양한 적용 분야에서 지속적으로 증가하는 수요에 대응할 것이다.

키옥시아는 앞으로 새로운 5세대 공정기술을 1테라비트(128기가바이트) TLC 및 1.33테라비트 4중셀(quadruple-level cell, QLC) 소자 등 더 큰 용량의 제품에도 적용할 계획이다.

키옥시아의 혁신적인 112층 적층 공정 기술은 첨단 회로 및 제조 공정 기술과 결합해 셀어레이 밀도를 96층 적층 공정에 비해 약 20% 향상했다. 새로운 기술은 비트당 비용을 절감하고 실리콘 웨어퍼 당 생성되는 메모리 용량을 늘려준다. 또한 인터페이스 속도를 50% 향상시키고 우월한 프로그래밍 성능 및 더 짧아진 읽기 대기시간을 제공한다.

2007년 세계 최초로 프로토타입 3D 플래시 메모리 기술을 발표[2]한 이후 키옥시아는 지속적으로 3D 플래시 메모리 발전을 주도해 왔으며 소형화 및 대용량을 원하는 업계 수요를 충족하기 위해 빅스 플래시(BiCS FLASH) 개발에 주력했다.

5세대 빅스 플래시(BiCS FLASH™)는 제조 파트너 웨스턴 디지털(Western Digital Corporation)과 공동 개발했다. 제품은 키옥시아의 욧카이치 공장(Yokkaichi Plant) 및 새롭게 설립된 기타카미 공장(Kitakami Plant)에서 생산된다.


1. 모든 기능의 시험이 완료된 것은 아니며 향후 제품 특성이 변경될 수 있다.
2. 출처: 키옥시아, 2007년 6월 12일
* 보도자료에 나온 모든 타사명, 제품 및 서비스 명칭은 해당 회사의 상표일 수 있다.

키옥시아(KIOXIA) 개요

키옥시아는 플래시 메모리와 SSD 등의 개발, 제조 및 판매를 전문으로 하는 메모리 솔루션 분야의 세계적인 선도업체다. 2017년 4월 키옥시아의 전신 도시바 메모리(Toshiba Memory)가 1987년 낸드 플래시 메모리를 발명했던 도시바(Toshiba Corporation)로부터 분사했다. 키옥시아는 고객의 선택지를 넓히는 제품, 서비스, 시스템을 제공하고 사회를 위한 메모리 기반 가치를 실현함으로써 메모리를 통해 더 나은 세계를 이룩하는 데 헌신하고 있다. 키옥시아의 혁신적인 3D 플래시 메모리 기술 BiCS 플래시(BiCS FLASH)는 첨단 스마트폰, PC, SSD, 자동차 및 데이터 센터를 포함한 고밀도 적용에서 저장소의 미래를 만들어나가고 있다.

비즈니스 와이어(businesswire.com) 원문 보기: https://www.businesswire.com/news/home/20200130005478/en/

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웹사이트: https://www.kioxia.com/en-jp/top.html

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kioxia-hd-pr@kioxia.com

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