트랜스폼, 두 번째 900V GaN FET 생산 개시
트랜스폼은 높은 안정성의 고성능 질화갈륨(GaN) 전력 반도체를 개발, 제조하는 선구적 기업이다. TP90H050WS는 1kV 과도 스파이크 정격의 50 mΩ 일반 온저항을 제공하며 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 인증을 획득했다. 주요 타깃 시장은 광범위한 산업 및 재생에너지 부문으로 태양광 인버터, 배터리 충전, 무정전 전원 공급 장치, 조명, 에너지 저장 등의 응용 제품을 포함한다. 이와 함께 트랜스폼은 900V 포트폴리오를 바탕으로 3상 애플리케이션을 포괄하도록 전압 범위를 확장하고 있다. 900V 장치 성능에 대한 자세한 정보는 트랜스폼 동영상(https://bit.ly/316GWae)을 통해 확인할 수 있다.
지난해 공개된 TP90H050WS는 트랜스폼이 TP90H180PS에 이어 두 번째로 내놓은 900V 장치다. 이는 2칩 정상오프(normally-off)형 파워 트랜지스터로 표준형 TO-247 패키지로 제공되며 ±20V의 게이트 강건성을 구현해 전력 시스템을 위한 안정성과 설계성을 제고해준다. 트랜스폼의 고속 GaN과 내열 TO-247 패키지의 조합으로 시스템 효율이 99%를 웃돈다. 또한 브리지리스 토템폴 역률 보상(bridgeless totem-pole PFC)으로 일반적인 하프 브리지(half bridge) 설정에서 최대 10kW의 전력을 생성할 수 있다.
필립 주크(Philip Zuk) 트랜스폼 기술 마케팅/NA 판매 담당 부사장은 “트랜스폼의 900V 플랫폼 작업은 고전압 GaN 파워 트랜지스터의 기능성을 보여준다”며 “이 장치로 그동안 액세스할 수 없었던 응용 제품을 지원할 수 있게 됐다”고 설명했다. 그는 “50mΩ FET 샘플 제공 시 큰 관심을 받았다”며 “제품의 대량 생산 단계로 전환해 고객 수요에 부응하게 돼 자랑스럽다”고 말했다.
900V GaN 활용
일리노이공과대학교(Illinois Institute of Technology, 약칭 IIT)는 혁신적인 고체 소자 스위칭 토폴로지(solid state switching topologies)에 트랜스폼의 첨단 제품을 독창적으로 결합한 ‘ARPA-E 회로 프로그램(ARPA-E Circuits program)’에서 TP90H050WS를 활용한 작업을 진행하고 있다. 이 프로젝트는 재생에너지 마이크로그리드를 위한 안정적인 고체 회로 차단기(solid-state circuit breaker, 약칭 SSCB)를 생성하는 것이 목적이다. 여기에는 900V GaN 장치를 활용하는 자율 운행과 프로그래밍 기능의 지능형 양방향 SSCB 개발이 포함돼 있다.
존 셴(John Shen) IIT 박사는 “SSCB 프로젝트에는 속도 면에서 기계 회로 차단기를 능가할 뿐만 아니라 전력 손실을 줄이는 데도 도움이 되는 비전형적 전력 변환 솔루션이 필요했다”며 “트랜스폼의 GaN 기술은 기대 이상이었다”고 밝혔다. 그는 “이 솔루션은 풀 패키지를 구현했다”며 “높은 전력 밀도, 안정적 양방향성을 지원하고 소형 패키지에서 전례 없는 전력 출력을 구현한 시중 유일의 900V 장치”라고 설명했다.
900V 평가 보드
트랜스폼은 DC-AC 인버터 평가 보드로 개발을 위한 노력을 계속 단순화하고 있다. TP90H180PS 170mΩ FEF 4개로 설계된 TDINV3500P100-키트(TDINV3500P100-KIT)는 풀 브리지 토폴로지를 활용해 100kHz 이상에서 작동하는 단상 인버터 시스템을 지원한다.
평가 보드와 양산 중인 900V 트랜지스터는 다음 링크에서 디지-키(Digi-Key)와 마우저(Mouser)를 통해 제공된다.
· TP90H050WS(50 mΩ TO-247 FET): 디지-키(https://bit.ly/3iXItWd)/마우저(https://bit.ly/2DWqII4)
· TP90H180PS(170 mΩ TO-220 FET): 디지-키(https://bit.ly/3kRpoqt)/마우저(https://bit.ly/2Yfjfuu)
· TDINV3500P100-KIT: 디지-키(https://bit.ly/3h8KdeA)/마우저(https://bit.ly/3aD7QJP)
트랜스폼(Transphorm) 개요
GaN 분야 혁신의 글로벌 선도 기업 트랜스폼(www.transphormusa.com)은 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 최고 성능과 최고 신뢰도를 갖춘 고전압 GaN 반도체를 설계 및 제조한다. 1000개 이상의 특허를 소유 또는 허가받아 최다의 전력 GaN IP(지적 재산) 포트폴리오를 보유하고 있는 기업 중 하나인 트랜스폼은 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증 GaN 반도체 소자를 생산하고 있다. 수직으로 통합된 장치 비즈니스 모델을 통해 모든 개발 단계에서 설계, 제작, 장치 및 응용 프로그램 지원을 혁신할 수 있다. 트랜스폼의 혁신은 전력 전자 제품이 실리콘의 한계를 극복해 99% 이상의 효율을 달성하고 전력 밀도를 40% 이상 높이는 동시에 시스템 비용을 20% 절감할 수 있도록 뒷받침한다. 트랜스폼 본사는 미국 캘리포니아주 골레타에 위치하고 있으며 골레타와 일본 아이즈에 생산 시설을 운영하고 있다. 상세 정보는 웹사이트(www.transphormusa.com)나 트위터(@transphormusa)를 통해 확인할 수 있다.
비즈니스 와이어(businesswire.com) 원문 보기: https://www.businesswire.com/news/home/20200818005282/en/
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웹사이트: http://www.transphormusa.com/
연락처
트랜스폼(Transphorm Inc.)
211 커뮤니케이션즈(211 Communications)
헤더 아일라라(Heather Ailara)
휴대전화: +1.973.567.6040
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