트랜스폼, 4kW 아날로그 제어 브리지리스 토템폴 GaN 평가보드 출시

TDTTP4000W065AN, 더 간소한 설계로 SuperGaN™ FET 성능 활용

뉴스 제공
Transphorm, Inc. 나스닥 TGAN
2020-09-02 16:10
골레타, 캘리포니아--(Business Wire / 뉴스와이어)--트랜스폼(Transphorm, Inc.)(미국장외시장(OTCQB): TGAN)이 최신 평가보드인 TDTTP4000W065AN를 출시했다고 1일 발표했다.

트랜스폼은 높은 안정성의 고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품을 제공하는 선구적 기업이다.

최대 4kW의 단상 교류-직류(AC-DC) 전력 변환을 위해 설계된 이 솔루션은 일반적인 아날로그 제어와 함께 브리지리스 토템폴(brigeless tomem-pole) 역률 보정(PFC) 기술을 활용하고 있다. 이러한 조합으로 디지털 싱글 컨트롤러(DSC)를 사용할 때 펌웨어를 개발할 필요 없이 트랜스폼의 최신 SuperGaN™ FET로 구현된 최고 수준의 변환 효율성에 빠르고 안전하게 도달할 수 있다.

RDDR로 GaN 채택 촉진

고전압 GaN 플랫폼과 관련 설계 도구를 위한 트랜스폼의 혁신 여정은 동급 최강의 GaN 안정성, 용이한 설계성, 용이한 구동력, 대용량 재현성(Reliability·Designability·Drivability·Reproducibility, 약칭 RDDR)을 구현하는 데 중점을 둔다. TDTTP4000W065AN은 이를 위해 전력 시스템 엔지니어가 초접합 MOSFET를 사용하는 표준형 CCM 부스트 PFC 설계에 비해 효율성을 업그레이드할 수 있도록 했다.

이 평가 키트의 정격 전압은 하이라인(highline) 4kW(180~260V), 로우라인(lowline) 2kW(90~120V)다. 아날로그 토템폴 솔루션의 주요 장점은 다음과 같다.

· 유지관리 전력(칩셋 전원 투입 및 공급 등 기본 기능 지원에 필요한 전력)은 어느 시스템에서든 상대적으로 양이 고정적이다. 따라서 애플리케이션의 전력 레벨이 감소함에 따라 유지관리 전력이 시스템의 전체 전력 손실에서 차지하는 비중이 커진다. 트랜스폼의 아날로그 보드는 DSP 솔루션에 비해 가동 시 필요한 유지관리 전력이 적어 전반적인 시스템 효율이 향상된다.
· DSP 펌웨어 프로그래밍이 필요하지 않으며 표준형 CCM 부스트 교류-직류(AC-DC) PFC 전력 단계에 적합하다.

트랜스폼은 보다 유연한 설계를 필요로 하는 엔지니어를 위해 올 초 TDTTP4000W066C를 출시했다. DSC 기반의 4kW AC-DC 보드도 브리지리스 토템폴 PFC와 트랜스폼의 SuperGaN FET을 사용한다. 하지만 이 솔루션은 사전 프로그래밍 마이크로칩(Microchip)의 dsPIC33CK DSC 보드를 탑재하고 있으며 전용 펌웨어 지원으로 뒷받침된다.

필립 주크(Philip Zuk) 트랜스폼 세계 기술 마케팅/NA 영업 부사장은 “트랜스폼의 아날로그 평가 보드는 고도로 효율적인 트랜스폼의 GaN에 가장 쉽게 액세스할 수 있는 전례 없는 기회를 제공한다”고 밝혔다. 그는 “이전의 디지털 보드와 새 솔루션을 통해 전력 시스템 엔지니어는 그동안 고전압 장치 시장에서 찾을 수 없던 옵션을 확보할 수 있다”고 설명했다. 그는 “최종 애플리케이션이 제공하고자 하는 가치와 관계없이 트랜스폼은 다양한 도구 모음과 고객 성공을 돕는 가장 강력한 GaN을 보유하고 있다”고 강조했다.

SuperGaN 장치: 초접합 MOSFET를 능가하는 성능

TDTTP4000W065AN는 보드에서 고속 스위치 레그(fast-switching leg)로 SuperGaN 4세대 TP65H035G4WS FET를, 저속 스위치 레그(slow-switching leg)에 저저항 실리콘 MOSFET를 채택하고 있다. 그 성능은 디지털 제어를 적용한 트랜스폼의 동급 제품인 TDTTP4000W066C과 유사하다.

TP65H035G4WS는 본질적으로 열 방출 능력이 뛰어난 스루홀 (through-hole) 패키지의 35밀리옴 온저항의 650볼트 장치다. 보다 높은 전력 출력을 위해 경쟁이 치열한 표면 실장 GaN 솔루션에 요구되는 설계 방식인 병렬장치를 사용할 필요가 없다는 점이 특징이다. 또한 트랜스폼의 다른 모든 GaN 장치와 마찬가지로 SuperGaN FET 역시 4볼트의 임계 전압(Vth)과 0~12볼트에서 작동하는 표준형 기성 게이트 드라이버로 구동할 수 있다.

판매 정보

TDTTP4000W065AN 평가보드는 디지키(Digi-Key)와 마우저(Mouser)를 통해 구입할 수 있다.

트랜스폼(Transphorm) 개요

GaN 분야 혁신의 글로벌 선도 기업 트랜스폼(www.transphormusa.com)은 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 최고 성능과 최고 신뢰도를 갖춘 고전압 GaN 반도체를 설계 및 제조한다. 1000개 이상의 특허를 소유 또는 허가받아 최다의 전력 GaN IP(지적 재산) 포트폴리오를 보유하고 있는 기업 중 하나인 트랜스폼은 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증 GaN 반도체 소자를 생산하고 있다. 수직으로 통합된 장치 비즈니스 모델을 통해 모든 개발 단계에서 설계, 제작, 장치 및 응용 프로그램 지원을 혁신할 수 있다. 트랜스폼의 혁신은 전력 전자 제품이 실리콘의 한계를 극복해 99% 이상의 효율을 달성하고 전력 밀도를 40% 이상 높이는 동시에 시스템 비용을 20% 절감할 수 있도록 뒷받침한다. 트랜스폼 본사는 미국 캘리포니아주 골레타에 위치하고 있으며 골레타와 일본 아이즈에 생산 시설을 운영하고 있다. 상세 정보는 웹사이트(www.transphormusa.com)나 트위터(@transphormusa)를 통해 확인할 수 있다.

비즈니스 와이어(businesswire.com) 원문 보기: https://www.businesswire.com/news/home/20200901005326/en/

[이 보도자료는 해당 기업에서 원하는 언어로 작성한 원문을 한국어로 번역한 것이다. 그러므로 번역문의 정확한 사실 확인을 위해서는 원문 대조 절차를 거쳐야 한다. 처음 작성된 원문만이 공식적인 효력을 갖는 발표로 인정되며 모든 법적 책임은 원문에 한해 유효하다.]

웹사이트: http://www.transphormusa.com/

이 보도자료의 영어판 보기

연락처

트랜스폼(Transphorm Inc.)
211 커뮤니케이션즈(211 Communications)
헤더 아일라라(Heather Ailara)
휴대전화: +1.973.567.6040
heather@211comms.com