실라나 세미컨덕터, 트랜스폼과 동급 최강 65W USB-C PD GaN 어댑터 레퍼런스 설계 개발

트랜스폼 GaN 기반 솔루션, 30W/in3의 획기적 전력밀도와 94.5%의 효율 제공

뉴스 제공
Transphorm, Inc. 나스닥 TGAN
2021-05-18 14:30
골레타, 캘리포니아--(Business Wire / 뉴스와이어)--높은 안정성의 고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품을 공급하는 세계적 기업 트랜스폼(Transphorm, Inc.)(미국장외시장(OTCQB): TGAN)과 전력밀도 분야의 선두주자인 실라나 세미컨덕터(Silanna Semiconductor)가 세계 수준의 GaN 전원 어댑터 레퍼런스 설계를 17일 발표했다.

이 솔루션은 개방형 프레임의 65W USB-C 전력공급(PD) 충전기로 트랜스폼의 SuperGaN® Gen IV 플랫폼과 실라나의 독자적 액티브 클램프 플라이백(Active Clamp Flyback, 약칭 ACF) PWM 컨트롤러를 결합해 만들어졌다. 양사 기술 결합은 30W/in3의 비케이스(uncased) 전력 밀도와 94.5%의 전례 없는 피크 효율을 제공한다. 이처럼 우수한 성능은 실리콘 초접합 MOSFET나 e-모드 GaN 트랜시스터를 사용하는 시중의 경쟁 솔루션을 압도하는 수준이다. 트랜스폼의 더 작은 GaN FET를 적용한 점도 특징이다. 실라나 세미컨덕터와 트랜스폼의 범용 GaN 어댑터 설계는 노트북, 태블릿, 스마트폰 및 기타 사물인터넷(IoT) 기기에 적합하다.

동급 최강의 성능을 구현하는 동급 최강의 기술

새로운 레퍼런스 설계는 양사의 첨단 기술을 토대로 한다. SuperGaN FET는 업계 표준인 PQFN88 패키지의 트랜스폼의 650 V 240 mΩ 장치인 TP65H300G4LSG다. 이 솔루션은 고급 epi와 특허 설계 디자인을 적용한 SuperGaN 4세대 플랫폼을 활용해 성능을 개선한다. 일관된 성능의 GaN FET는 업계 최고의 게이트 안정성을 포함해 트랜스폼 디바이스가 자랑하는 고도의 안정성을 구현한다. 또한 e모드 디바이스와 달리 추가 바이어스 레일이나 레벨 시프터(level shifter)와 같은 보호용 외부 회로가 필요하지 않아 효율성이 높다. 이러한 기능과 기타 특징에 힘입어 어댑터 시스템의 전반적인 전력 밀도를 개선하고 부품원가 비용을 줄일 수 있다.

실라나 세미컨덕터의 SZ1130은 적응형 디지털 PWM 컨트롤러, ACF, 액티브 클램프 게이트 드라이버 및 UHV 스타트업 레귤레이터를 통합한 세계 최초의 완전 통합형 ACF PWM 컨트롤러다. 이 ACF 솔루션은 경쟁사의 QR(quasi-resonant) 컨트롤러에 비해 성능이 우수하며 시판 중인 ACF 컨트롤러 중 최소 PCB 면적으로 가장 단순한 설계를 제공한다. 기술 중립적인 시에나 컨트롤러 설계는 BOM을 획기적으로 절감하고 고객을 만족시키는 동급 최고의 전력밀도와 효율성으로 궁극의 전력 관리 문제에 초점을 맞추고 있다.

투샤르 다야구드(Tushar Dhayagude) 트랜스폼 필드 애플리케이션/기술영업 부사장은 “양사는 트랜스폼의 SuperGaN® 장치와 실라나 세미컨덕터의 최신 고집적 ACF 컨트롤러를 페어링해 USB-C PD 어댑터 고객사를 위해 완벽한 GaN 기반 레퍼런스 솔루션에서 동급 최강의 성능을 제공한다”고 말했다. 그는 “트랜스폼의 GaN FET는 특히 경쟁 제품의 e모드 GaN 솔루션이나 통합형 GaN IC 솔루션에 비해 효율성, 전력 손실, AC/DC 충전기 크기를 개선할 수 있다”며 “양사 파트너십은 두 혁신 주자의 강력한 연합으로 전 세계 전원 어댑터에 GaN이 채택되도록 하는 데 긍정적 영향을 미칠 것”이라고 기대했다.

아산 자만(Ahsan Zaman) 실라나 세미컨덕터 마케팅 이사는 “실라나 세미컨덕터의 다목적 ACF 컨트롤러는 충전기 제조사가 선호하는 FET 기술을 선택할 수 있도록 뒷받침하는 설계 유연성을 제공한다”고 밝혔다. 그는 “ACF 컨트롤러는 실라나의 SZ1130과 트랜스폼의 TP65H300G4LSG를 결합해 94.5%의 효율성을 구현해 업계 최고의 성능을 달성했다”고 강조했다. 이어 “실라나 세미컨덕터가 보유한 지식과 전문성을 지식 생태계 파트너와 결합해 세계 최고의 혁신적 제품을 제공함으로써 동급 최강의 효율성과 전력 밀도를 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다”고 말했다.

제공 정보

65W USB-C PD GaN 전원 어댑터 레퍼런스 설계의 회로도, 설계 파일, 부품원가(BOM) 명세는 다음과 같은 이름 아래 두 제조사에서 제공한다.

· 실라나 반도체: RD-19 (문의: sales@silanna.com)
· 트랜스폼: TDADP-SIL-USBC-65W-RD (https://bit.ly/3u2o8nS 에서 파일을 내려 받을 수 있다.)

실라나 세미컨덕터(Silanna Semiconductor) 개요

실라나 세미컨덕터(Silanna Semiconductor)는 전력 밀도 분야의 선두두자다. 실라나 세미컨덕터는 AC/DC, DC/DC 전력 변환 IC 고객을 만족시키는 동급 최고의 전력밀도와 효율 성능이라는 궁극적인 전력 관리 문제를 해결하고 부품원가(BOM)을 획기적으로 절감하고 있다. 이로써 최신 디지털 및 아날로그 제어와 디바이스 기술을 적용한 여행용 어댑터, 노트북용 어댑터, 어플라이언스 전력, 스마트 계측, 컴퓨팅, 조명, 산업용 전력, 디스플레이 전력의 주요 혁신을 촉진한다. 고객은 글로벌 엔지니어링 영업 인력 외에도 지역 설계 센터와 온라인 도구의 지원을 받을 수 있다. ‘파워 덴시티 히어로(Power Density Hero)’는 고객이 각 사의 전력 필요를 입력해 완벽한 설계, 회로도 및 BOM을 즉석에서 받아볼 수 있는 온라인 설계 도구다. 아시아 혁신센터(Asian Center of Excellence, 약칭 ACE)는 전력 시스템 엔지니어로 구성된 전담 팀으로 고객의 응용 분야별 설계 요구를 지원한다. 미국 캘리포니아주 샌디에고에 본사를 둔 실라나 세미컨덕터는 비상장 반도체 기업으로 글로벌 고객 지원 시설을 보유하고 있으며 북미, 유럽, 아시아, 호주에 설계 센터 및 사무소를 두고 있다.

트랜스폼(Transphorm) 개요

GaN 분야 혁신의 글로벌 선도 기업 트랜스폼(www.transphormusa.com)은 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 최고 성능과 최고 신뢰도를 갖춘 고전압 GaN 반도체를 설계 및 제조한다. 1000개 이상의 특허를 소유 또는 허가받아 최다의 전력 GaN IP(지적 재산) 포트폴리오를 보유하고 있는 기업 중 하나인 트랜스폼은 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증 GaN 반도체 소자를 생산하고 있다. 수직으로 통합된 장치 비즈니스 모델을 통해 모든 개발 단계에서 설계, 제작, 장치 및 응용 프로그램 지원을 혁신할 수 있다. 트랜스폼의 혁신은 전력 전자 제품이 실리콘의 한계를 극복해 99% 이상의 효율을 달성하고 전력 밀도를 40% 이상 높이는 동시에 시스템 비용을 20% 절감할 수 있도록 뒷받침한다. 트랜스폼 본사는 미국 캘리포니아주 골레타에 위치하고 있으며 골레타와 일본 아이즈에 생산 시설을 운영하고 있다. 상세 정보는 웹사이트(www.transphormusa.com), 트위터(@transphormusa) 또는 위챗(TransphormGaN)를 통해 확인할 수 있다.

SuperGaN 마크는 트랜스폼의 등록상표이다. 모든 다른 상표는 해당 소유자의 재산이다.

비즈니스 와이어(businesswire.com) 원문 보기: https://www.businesswire.com/news/home/20210517005320/en/

[이 보도자료는 해당 기업에서 원하는 언어로 작성한 원문을 한국어로 번역한 것이다. 그러므로 번역문의 정확한 사실 확인을 위해서는 원문 대조 절차를 거쳐야 한다. 처음 작성된 원문만이 공식적인 효력을 갖는 발표로 인정되며 모든 법적 책임은 원문에 한해 유효하다.]

웹사이트: http://www.transphormusa.com/

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