유니산티스, DRAM 대체할 다이내믹 플래시 메모리 발표
고밀도, 속도 및 비용 절감 이점 제공
이는 업계가 미래형 저비용 고밀도 내장 또는 단독형 메모리 애플리케이션을 위해 DRAM의 대안을 모색하는 상황에서 획기적 도약을 이룬 솔루션이다. DFM은 DRAM이나 기타 유형의 휘발성 메모리에 비해 더 빠른 속도와 더 높은 밀도를 제공할 수 있다.
DFM 개발자인 유니산티스의 사쿠이 고지(Koji Sakui) 박사와 하라다 노조무(Nozomu Harada) 박사는 5월 18일 제13회 IEEE 국제메모리워크숍(International Memory Workshop, 약칭 IMW)에서 ‘이중 게이트 서라운딩 게이트 트랜지스터(SGT)를 포함한 다이내믹 플래시 메모리(Dynamic Flash Memory with Dual Gate Surrounding Gate Transistor DFM)’라는 제목의 논문을 통해 DFM 기술을 발표했다.
DRAM은 휘발성 커패시터 기반의 파괴성 판독 형태의 메모리다. DRAM의 오랜 과제는 전력 소비를 늘리지 않고 더 낮은 비용으로 더 많은 스토리지를 계속 집적하는 것이었다. DFM은 DRAM과 같은 기존의 휘발성 메모리의 한계, 즉 본질적으로 짧고 규칙적이며 전력 소모가 큰 리프레시(refresh) 주기와 파괴적 판독 절차를 극복하기 위해 혁신적인 접근 방식을 적용했다.
DFM 또한 휘발성 메모리에 속하지만 커패시터에 의존하지 않아 누설 경로가 적고 변환 트랜지스터와 커패시터 사이에 연결이 없다. 이에 따라 트랜지스터 밀도를 크게 높일 수 있는 셀 설계가 가능하다. 블록 리프레시는 물론 플래시 메모리로서 블록 지우기를 제공하기 때문이다. DFM은 리프레시 주기의 빈도와 오버헤드(overhead)를 줄일 수 있으며 DRAM보다 훨씬 우수한 속도와 성능을 구현할 수 있다.
유니산티스는 TCAD 시뮬레이션을 활용해 DFM이 DRAM에 비해 밀도를 4배 증대할 수 있는 잠재력을 지니고 있음을 입증했다. 최근 IEEE ISSCC(International Solid-State Circuits Conference) 논문에 따르면 DRAM 확장은 16Gb에서 답보 상태를 보이고 있다. 4F2 셀 밀도의 DFM 모델링(Modelling DFM at 4F2 cell density)은 DFM의 완벽한 구조화를 보여준다. DFM의 설계와 개발은 Gb/mm2의 상당한 향상 가능성을 의미하며 혁신적으로 개선된 DRAM의 셀 구조를 활용해 DRAM의 현재 한계(16Gb)를 64Gb 메모리로 즉시 상향할 수 있다.
DRAM 대체는 업계의 주요 도전과제다. DRAM이 현재 메모리 시장 수요의 50% 이상을 차지하기 때문만은 아니다. 욜 디벨로프먼트(Yole Development, 2020) 각종 전망에 따르면 2025년까지 이러한 유형의 저비용 고밀도 DRAM 시장이 계속 성장해 1000억달러를 초과할 것으로 예상된다. 하지만 대안으로 제시된 일부 솔루션도 여전히 과제를 안고 있다. 무커패시터 DRAM, ZRAM 또는 단순화된 GAA와 나노시트 접근 방식은 모두 DFM과 비교해 자체적인 한계가 있다.
DFM의 공동 개발자인 유니산티스의 사쿠이 박사는 “메모리 업계가 오랫동안 사용해온 DRAM 기술이 수명을 다해가고 있지만 DRAM의 거대한 시장 규모는 그를 대체할 기술이 성능, 비용, 미래 확장성의 적절한 균형을 제공해야 한다는 사실을 의미한다”고 지적했다. 그는 “상당한 내부 연구와 테스트를 거쳐 DRAM의 장기적이고 실질적인 대안으로 DFM을 공개하게 된 것을 기쁘게 생각한다”고 말했다.
제임스 애시포스 푸크(James Ashforth-Pook) 유니산티스 일렉트로닉스 수석부사장은 “현재 DRAM 설계에 비해 상당한 이점을 제공하는 다이내믹 플래시 메모리를 발표하게 돼 기쁘다”고 밝혔다.
오늘 발표에 이어 유니산티스는 자체 기술 개발을 더욱 강화할 방법을 모색하는 동시에 일련의 메모리 및 파운드리 파트너십을 통해 DFM의 기능과 완전한 잠재력을 대외적으로 테스트하고 시연할 계획이다.
DFM의 자세한 사항과 유니산티스 SGT 기술의 응용은 향후 행사(future events)를 통해 공유될 예정이다.
온라인 이미지 링크:
· 다이내믹 플래시 메모리 주요 기능 (https://bit.ly/3vhFHRY)
· 단순한 크로스 포인트 구조 (https://bit.ly/3oKr2ME)
· 다이내믹 플래시 구조 (https://bit.ly/3oJz1K6)
웹사이트(www.unisantis.com)에서 회사에 대해 더 자세한 내용을 확인할 수 있다.
[이 보도자료는 해당 기업에서 원하는 언어로 작성한 원문을 한국어로 번역한 것이다. 그러므로 번역문의 정확한 사실 확인을 위해서는 원문 대조 절차를 거쳐야 한다. 처음 작성된 원문만이 공식적인 효력을 갖는 발표로 인정되며 모든 법적 책임은 원문에 한해 유효하다.]
웹사이트: https://unisantis.com/
연락처
유니산티스(Unisantis ® Electronics Singapore Pte. Ltd.)
제임스 애쉬포스 푸크(James Ashforth-Pook)
수석부사장(SVP)
+44-7775578880
jamesap@unisantis.com
이 보도자료는 Unisantis ® Electronics Singapore Pte. Ltd.가(이) 작성해 뉴스와이어 서비스를 통해 배포한 뉴스입니다. 뉴스와이어는 편집 가이드라인을 준수합니다.
-
2021년 5월 24일 17:20