ACM 리서치, 로직·3D NAND·DRAM 신규 제조 공정 지원하는 베벨 에치 출시

습식 공정 상에서 웨이퍼 수율 향상과 화학 물질 사용 저감 위해 에지 식각 및 세정 기능을 단일 장비에서 제공

첫 번째 장비는 3분기 중에 고객사 납품 예정

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2021-08-26 13:22

서울--(뉴스와이어)--반도체와 첨단 웨이퍼 레벨 패키징(WLP)용 웨이퍼 공정 선도 기업인 ACM 리서치(ACM Research, Inc., NASDAQ: ACMR)는 베벨 에치(Bevel Etch) 식각 장비를 출시해 자사 습식 공정 장비의 적용 범위를 한층 더 확장한다고 밝혔다.

새로 출시한 장비는 습식 식각 방식을 사용해 웨이퍼 에지(wafer edge)에 있는 다양한 유형의 유전체, 금속 및 유기 물질 막질과 미립자 오염 물질을 제거한다. 이런 처리 방식은 에지 부분의 오염이 후속 공정 단계에 미치는 영향을 최소화하고, 칩 제조 시 수율을 개선하며, 웨이퍼 후면 세정 기능을 통합 제공해 공정을 더욱 최적화한다.

ACM 리서치의 데이비드 왕(David Wang) CEO는 ”IC 제조 공정 중 특히 3D NAND, DRAM 및 고급 로직 공정에서 웨이퍼 에지 박리(wafer edge peeling), 파티클(particle) 및 잔여물로 웨이퍼 에지 수율 저하가 발생하고 있고, 문제를 해결하기 위한 전체 공정 수율 제고의 필요성이 대두되고 있다”며 “ACM의 베벨 에치 장비는 에지 수율 저하 문제를 효과적으로 해결할 수 있으며, 그동안 습식 공정에서 전문적 입지를 구축해온 ACM 분야를 에지 식각의 응용 영역으로 확장하면서, 기존 건식 공정보다 향상된 성능을 제공하고 화학 물질 사용량을 크게 줄일 수 있다”고 말했다.

이어 “ACM 리서치의 독자적인 기술로 보다 정확하고 효율적인 웨이퍼 중앙 정렬을 구현할 수 있어 더욱 정밀한 에지 식각과 수율 향상을 기대할 수 있다”고 강조했다.

ACM 리서치의 베벨 에치 제품은 3D NAND, DRAM, 고급 로직 공정에서 일부 유형의 장비 및 공정 단계를 지원한다. 그동안 반도체 제조회사는 에지 막질 및 오염 제거를 처리하기 위해 건식 베벨 식각 공정을 사용해 왔다. 습식 식각 방식은 건식 공정에서 발생할 수 있는 아크 방전 및 실리콘 손상 위험을 방지하는 동시에 1~7mm 가변 웨이퍼 에지 필름 에칭·절단 정확도, 양호한 균일도(Uniformity) 및 제어 가능한 식각, 그리고 화학물질 사용량 감소로 비용을 줄이는 데 기여할 수 있다.

한편 ACM 리서치의 첫 번째 양산용 베벨 에치 장비는 3분기 중 중국 로직 제조 회사에 납품될 예정이다.

웹사이트: https://www.acmrcsh.com/