트랜스폼, 마이크로칩 디지털 신호처리 기술 적용한 두 번째 토템 폴 평가 보드 출시

2.5kW 평가 보드, 교체식 도터 카드에 새로운 SuperGaN® Gen IV D2PAK FET 적용해 다양한 전력 수준에 빠른 액세스 지원

2021-12-01 11:45

골레타, 캘리포니아--(Business Wire / 뉴스와이어) 2021년 12월 01일 -- 트랜스폼(Transphorm, Inc.)(미국장외시장: TGAN)이 마이크로칩 테크놀로지(Microchip Technology)의 디지털 신호 처리 기술을 적용해 설계 툴을 확장했다고 11월 30일 발표했다. 트랜스폼은 높은 안정성의 고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품을 제공하는 선구적 기업이다.

TDTTP2500B066B-키트는 2.5kW의 교류/직류 브리지리스 토템 폴 역률 보정(power factor correction, 약칭 PFC) 평가 보드다. 이 솔루션은 트랜스폼의 SuperGaN® FET와 마이크로칩의 dsPIC33CK 디지털 신호 컨트롤러(DSC) 보드를 페어링한다. 여기에는 사전에 프로그래밍된 펌웨어가 포함돼 최종 애플리케이션의 요구사항에 따라 손쉽게 맞춤 설정할 수 있다. 새 보드를 사용하면 데이터 센터와 광범위한 산업용 전원 공급 장치를 더 빠르게 개발할 수 있다.

새 디바이스와 신기능의 결합으로 개발 기능 향상

TDTTP2500B066B-키트는 최신 SuperGaN 4세대 디바이스인 TP65H050G4BS가 적용된 도터 카드와 함께 기성품으로 제공된다. TP65H050G4BS는 TO-263(D2PAK)의 650V SMD SuperGaN FET으로 일반적 on저항은 50밀리옴이다.

새 보드는 사용성을 높이기 위한 고급 기능을 도입했다. 트랜스폼의 GaN 장치를 수용하는 교체식 도터 카드(daughter card)가 대표적이다. 이에 따라 설계 엔지니어는 별도로 판매되는 제2의 옵션형 도터 카드(TDHB-65H070L-DC)를 사용해 on저항 72밀리옴의 TP65H070LDG/LSG GaN 디바이스도 평가할 수 있다. 이 도터 카드는 50밀리옴 FET 카드의 드롭인 대체품(drop-in replacement)이다.

최초의 SuperGaN/마이크로칩 DSC 평가 보드(4kW TDTTP4000W066C-KIT)와 마찬가지로 2.5kW 보드 또한 펌웨어 개발에서 마이크로칩이 보유하고 있는 전 세계 기술 지원팀의 지원을 받을 수 있다.

조 톰센(Joe Thomsen) 마이크로칩 MCU16 사업부 부사장은 “트랜스폼과 지속적 협력을 통해 급성장하는 GaN 전력 변환 시장에 혁신적인 전력 전자 솔루션을 제공하고 있다”며 “마이크로칩은 스마트 통합 솔루션을 통해 선도적인 기술 변화에 상당한 투자를 하고 있다. 우리 디지털 신호 프로세서의 성능과 유연성은 GaN 기반 전력 변환 애플리케이션의 까다로운 요구 사항에 부응한다”고 말했다.

마이크로칩의 dsPIC® DSC는 전문성이 부족한 개발자도 사용할 수 있도록 개발된 일련의 임베디드 설계 도구로 뒷받침된다. 이들 도구는 마이크로칩의 무료 MPLAB® 통합 개발 환경에서 장치 초기화를 위한 직관적 그래픽 사용자 인터페이스를 제공한다. 소프트웨어 도구는 프로그래머, 디버거, 에뮬레이터 액세서리의 전체 라인으로 보완된다.

기술 사양

트랜스폼의 TDTTP2500B066B-KIT에 사용된 DSC 통합 솔루션의 특징은 다음과 같다.

· 650V 50mΩ SuperGaN FET(TP65H050G4BS)
· 입력 전압: 85VAC~265VAC, 47Hz~63Hz
· 입력 전류: 18Arms; 1250W(115VAC) 2500kW(230VAC)
· 출력 전압: 390VDC± 5VDC(프로그래밍 가능)
· 데드 타임(Deadtime): 프로그래밍 가능
· PWM 주파수: 66kHz
· 역률: > 0.99

이 보드는 마이크로칩의 dsPIC33CK 디지털 전력 플러그인모듈(PIM)을 사용해 설계됐으며 아래의 사전 프로그래밍된 PIM 기능을 바탕으로 PFC 파워트레인을 제어한다.

· 마이크로칩의 AEC-Q100 인증 dsPIC33CK256MP506 DSC
· 시간이 중요한 제어 애플리케이션에서 빠르고 결정적인 성능을 구현하는 100 MIPS
· 듀얼 플래시 패널(Dual Flash Panels) - 전원이 공급되는 동안 코드를 실시간 업데이트하도록 지원
· 고도의 아날로그 통합으로 BOM(부품 명세서) 비용을 줄이고 시스템 크기를 최소화
· 250ps 해상도의 PWM

dsPIC33CK PIM의 펌웨어 업데이트 사항은 마이크로칩 웹사이트에서 내려받을 수 있다.

필립 주크(Philip Zuk) 트랜스폼 세계 기술마케팅/사업개발 담당 수석부사장은 “트랜스폼은 고객이 설계상 어려움을 제거하고, 개발을 단순화하며, 시장 출시 속도를 높여 우리 GaN 플랫폼의 장점을 쉽게 활용할 수 있도록 뒷받침하고 있다”며 “이러한 사명을 위해 마이크로칩의 고도화된 DSC 기능을 통합하는 것은 대단히 중요하다”고 강조했다. 그는 “이제 가장 요구도가 높은 전력 단계를 제공하게 됐다”며 “사전에 프로그래밍된 펌웨어와 상호 교환이 가능한 GaN 디바이스 구성을 통해 두 가지 전력 단계에서 가장 높은 가치를 제공할 수 있다”고 설명했다.

구입처

TDTTP2500B066B-KIT는 디지키(Digi-Key)와 마우저(Mouser)를 통해 살 수 있다.

트랜스폼의 70밀리옴 FET 평가에 관심 있는 고객은 https://www.transphormusa.com/en/evaluation-kit/tdhb-65h070l-dc/ 에서 TDHB-65H070L-DC 도터 카드(daughter card)를 주문할 수 있다.

트랜스폼(Transphorm) 개요

GaN 혁신을 주도하는 글로벌 선도 기업 트랜스폼은 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 최고의 성능과 신뢰성을 갖춘 고전압 GaN 반도체를 설계하고 제조한다. 1000개 이상의 특허를 소유 또는 허가받아 최다 전력 GaN IP(지적 재산) 포트폴리오를 보유하고 있으며, 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증 GaN 반도체 소자를 생산한다. 수직으로 통합된 장치 비즈니스 모델을 통해 설계, 제작, 장치 및 응용 프로그램 지원 등 모든 개발 단계에서 혁신을 일으키고 있다. 트랜스폼은 혁신을 통해 전자제품이 실리콘의 한계를 넘어서게 함으로써 99% 이상의 효율을 달성하고 전력 밀도를 40% 이상 높이는 한편, 시스템 비용을 20% 절감하고 있다. 트랜스폼 본사는 미국 캘리포니아주 골레타에 자리하고 있으며 골레타와 일본 아이즈(Aizu)에 생산 시설이 있다. 자세한 정보는 웹사이트(www.transphormusa.com), 트위터(@transphormusa) 또는 위챗(@TransphormGaN)에서 확인할 수 있다.

‘SuperGaN’은 트랜스폼(Transphorm, Inc.)의 고유 상표이다. 기타 모든 등록 상표도 해당 소유자의 자산이다.
 
비즈니스와이어(businesswire.com) 원문 보기: https://www.businesswire.com/news/home/20211130005302/en/

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웹사이트: http://www.transphormusa.com/

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