인피니언, 첨단 CoolSiC™ M1H 기술로 1200V SiC MOSFET 포트폴리오 확장
인피니언 CoolSiC MOSFET 1200V Easy 3B
CoolSiC 베이스 기술의 최신 발전은 더 큰 게이트 동작 범위를 가능하게 해 주어진 다이 크기로 온저항을 향상한다. 또한 더 큰 게이트 동작 범위는 높은 스위칭 주파수에서도 어떠한 제한 없이 게이트에서 드라이버나 레이아웃 관련 전압 피크에 대해 높은 견고성을 제공한다. M1H 칩 기술은 다양한 패키지 옵션으로 제공되므로 설계 엔지니어가 전력 밀도를 높이거나 애플리케이션 성능을 높이고자 하는 것에 따라서 적합한 제품을 선택할 수 있다.
◇Easy 모듈로 전력 밀도 향상
널리 사용되는 Easy 제품군에 M1H를 적용해서 Easy 1B 및 2B 모듈을 더욱 향상하게 됐으며, 새로운 1200V CoolSiC MOSFET을 적용한 Easy 3B 모듈도 출시 예정이다. 새로운 칩 크기를 추가함으로써 설계 유연성을 높이고 업계에서 가장 다양한 제품 포트폴리오를 제공하게 됐다. M1H 칩을 사용해서 모듈의 온저항을 크게 향상하고 디바이스 신뢰성과 효율을 높일 수 있게 됐다.
175°C의 최대 접합부 온도는 과부하 성능을 향상함으로써 전력 밀도를 높이고 결함에 대한 견고성을 높이도록 한다. 앞서 출시된 M1과 비교해서 M1H는 내부 RG를 포함하므로 스위칭 동작을 쉽게 최적화할 수 있으며, 동적 동작은 그대로이다.
◇온저항이 매우 낮은 디스크리트 패키지 제품
CoolSiC MOSFET 1200V M1H 포트폴리오는 TO247-3과 TO247-4 패키지로 온저항이 매우 낮은 7mΩ, 14mΩ, 20mΩ 디스크리트 제품들을 포함한다. 이들 디바이스는 디자인-인이 쉽고, -10V에 이르는 최대 네거티브 게이트-소스 전압이 가능하므로 게이트 전압 오버슈트 및 언더슈트에 있어서 유리하며, 애벌랜치(avalanche) 및 단락 회로 보호 기능을 포함한다.
인피니언의 .XT 인터커넥트 기술은 이미 D2PAK-7L 패키지에 적용됐으며, 이제 TO 풋프린트에도 적용된다. 이 기술은 표준 인터커넥션에 비해 열 방출 능력을 30% 이상 향상시킨다. 이 열적 이점은 출력 전력을 15%까지 높일 수 있다. 또는 스위칭 주파수를 높임으로써 전기차 충전, 에너지 저장, 태양광 시스템 등에서 수동 부품을 줄일 수 있으며 그럼으로써 전력 밀도를 높이고 시스템 비용을 낮출 수 있다. 시스템 동작 조건을 바꾸지 않고서도 .XT 기술이 SiC MOSFET 접합부 온도를 낮춰 전원 사이클링 성능을 향상시키고 시스템 수명을 늘린다. 이 점은 서보 드라이브 같은 애플리케이션에서 중요하다.
◇공급
모듈 및 디스크리트 제품은 현재 주문할 수 있으며, 추가 정보는 홈페이지에서 볼 수 있다.
인피니언 개요
인피니언 테크놀로지스는 생활의 편리함과 안전 그리고 친환경을 추구하는 세계 반도체 솔루션 시장의 선두 주자이다. 인피니언의 마이크로일렉트로닉스는 더 나은 미래를 위한 핵심 기술이다. 2021년 회계연도(9월 30일 마감) 기준 전 세계 약 5만280명의 직원과 함께 111억유로 매출을 달성했다. 세계 10대 반도체 회사 중 하나인 인피니언은 프랑크푸르트 증권거래소(거래 심볼: IFX)와 미국 장외시장 OTCQX International Premier (거래 심볼: IFNNY)에 등록돼 있다.
태양광 에너지 시스템 정보: https://bit.ly/38baNnF
급속 EV 충전 정보: https://bit.ly/3Ewdook
TO247-3 패키지 정보: https://bit.ly/3EAzA0w
TO247-4 패키지 정보: https://bit.ly/3xMjH5V
모듈 및 디스크리트 제품 정보: https://bit.ly/3xMgkMi
웹사이트: http://www.infineon.com
연락처
인피니언테크놀로지스코리아
박은진 부장
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