키오시아, 국가발명표창서 ‘2022 발명상’ 받아

2022-06-02 14:18

도쿄--(Business Wire / 뉴스와이어) 2022년 06월 02일 -- 세계 메모리 솔루션 업계를 선도하는 키오시아 주식회사(Kioxia Corporation)가 다층 플래시 메모리용 읽기 방법 최적화(특허 번호: 4892307) 기술을 개발한 공로를 인정받아 국가발명표창(National Commendation for Invention)의 ‘2022 발명상’을 받았다고 1일 발표했다.

1919년 출범한 국가발명표창은 뛰어난 발명과 아이디어, 디자인을 가려내고 과학, 기술, 산업 발전에 이바지하는 일본의 시상 프로그램이다.

수상자는 다음과 같으며 모두 키오시아 직원이다.

· 혼마 미쓰아키(Mitsuaki Honma): 메모리 사업부 소속 메모리 설계 관리 수석 전문가
· 시바타 노보루(Noboru Shibata): 메모리 기술 연구·개발 협회의 기기 기술 연구·개발 센터 총괄 보좌관

2022 발명상을 받은 키오시아의 기술은 더 공정한 분산·할당을 지원하는 혁신적 비트코딩(bit-coding)을 접목해 다층 플래시 메모리에서 예상되는 최대 오류율을 낮추고 오류정정부호(ECC) 저장에 필요한 반도체 면적을 줄이는 한편 플래시 메모리의 최대 읽기 지연 시간을 줄여 준다.

플래시 메모리가 디지털 사회를 맞아 늘어나는 대용량 스토리지 수요에 대응해 각 메모리 셀에 1비트 이상의 데이터를 저장할 수 있을 정도로 점점 다층화하고 있다. 3개 이상의 데이터 비트를 각 메모리 셀에 저장하는 다층 플래시 메모리가 데이터 리드아웃용 메모리 셀의 특정 상태(임계 전압)를 식별하려면 훨씬 더 많은 측정 연산 요소 모듈이 필요하다. 더욱이 다층 플래시 메모리에서는 비트에 할당된 측정 연산 요소 모듈수의 차이가 훨씬 크기 때문에 오류 정정 역량이 더욱 중요하다. 일반적인 비트코딩에서는 특정 비트(집중 읽기 비트 등)를 읽을 때 다른 비트를 읽을 때보다 더 많은 측정 연산 요소 모듈이 필요한데, 이 때문에 컴파운드 오류가 증가한다. ECC 증가로 발생한 데이터를 저장하려면 칩 면적을 늘려야 한다는 뜻이다. 일반적인 비트코팅으로 측정 연산 요소 모듈을 늘리면 비트당 읽기 지연 시간도 증가한다.

키오시아는 메모리로 세상에 희망을 선사한다는 사명을 바탕으로 전 세계인에게 가치를 더해주는 연구와 기술 개발에 전념하고 있다.

키오시아(Kioxia) 개요

키오시아는 플래시 메모리와 SSD 등의 개발·제조·판매를 전문으로 하는 메모리 솔루션 분야의 세계적 선도 업체다. 2017년 4월 키오시아의 전신 도시바 메모리(Toshiba Memory)가 1987년 낸드 플래시 메모리를 발명한 도시바(Toshiba Corporation)에서 분사했다. 키오시아는 삶을 풍요롭게 하고, 사회 지평을 확장하는 첨단 메모리 솔루션과 서비스 분야를 개척한다. 키오시아의 혁신적인 3D 플래시 메모리 기술 BiCS 플래시(BiCS FLASH)는 첨단 스마트폰, PC, SSD, 자동차 및 데이터 센터를 포함한 고밀도 애플리케이션에서 저장소의 미래를 만들고 있다.

비즈니스와이어(businesswire.com) 원문 보기: https://www.businesswire.com/news/home/20220531006091/en/

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