트랜스폼 레퍼런스 디자인 포트폴리오, USB-C PD GaN 전원 어댑터 개발 착수

자체 개발한 설계 도구 7종과 파트너십 통해 45~140W 어댑터 위한 고성능 650V GaN FET 이점 실현

뉴스 제공
Transphorm, Inc. 나스닥 TGAN
2022-06-23 13:47
골레타, 캘리포니아--(Business Wire / 뉴스와이어)--고신뢰성·고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품 분야의 선구적 기업이자 세계적 공급업체인 트랜스폼(Transphorm Inc.)(나스닥: TGAN)이 GaN 기반 USB-C PD 전원 어댑터의 개발 속도를 높이기 위한 레퍼런스 디자인 7종을 출시했다고 22일 발표했다.

이 포트폴리오에는 토폴로지(topology)와 출력, 전력량(45~140W)을 다양하게 선택할 수 있는 광범위한 개방형 프레임 설계 옵션이 포함돼 있다.

차별화한 SuperGaN® 기술

전원 어댑터 레퍼런스 디자인은 SuperGaN 4세대 650V FET를 적용해 트랜스폼 GaN 장치의 트레이드 마크가 된 설계 용이성과 높은 신뢰성, 우수한 성능을 제공한다. 최근 분석에 따르면 트랜스폼의 240mOhm SuperGaN FET는 175mOhm e-mode GaN 장치에 비해 75°C 이상 온도에서 저항 상승률이 더 낮았고 50%/100%(전체) 전력에서 더 우수한 성능을 보였다.

다음 자료(https://bit.ly/3xJK0rX)에서 두 GaN 솔루션 간의 자세한 비교 내용을 확인할 수 있다.

전원 어댑터 레퍼런스 디자인

트랜스폼 포트폴리오에는 주파수 140~300kHz 범위의 개방형 프레임 USB-C PD 레퍼런스 디자인 5종이 포함돼 있다. 일례로 트랜스폼은 실라나 세미컨덕터(Silanna Semiconductor)와 협력해 94.5%의 피크 효율로 140kHz에서 실행되는 65W ACF (Active Clamp Flyback) RD를 구현했다.

· (1x) 45W 어댑터 RD는 유사공진 플라이백(quasi-resonant flyback, 약칭 QRF) 토폴로지에서 24 W/in3의 전력 밀도를 제공한다.
· (3x) 65W 어댑터 RD는 ACF 또는 QRF 토폴로지에서 30 W/in3의 전력 밀도를 제공한다.
· (1x) 100W 어댑터 RD는 PFC (역률 보정)+QRF 토폴로지에서 18 W/in3의 전력 밀도를 제공한다.

트랜스폼의 포트폴리오에는 주파수 110~140kHz 범위의 오픈 프레임 USB-C PD/PPS 레퍼런스 디자인 2종도 포함돼 있다. 트랜스폼은 다이오즈(Diodes Inc.)와 솔루션 2종에 대해 파트너십을 체결했고 이들 솔루션은 ACF 컨트롤러를 활용해 93.5% 이상의 피크 효율성을 달성했다.

· (1x) 65W 어댑터 RD는 ACF 토폴로지에서 29 W/in3의 전력 밀도를 제공한다.
· (1x) 140W RD 어댑터는 PFC+ACF 토폴로지에서 20 W/in3의 전력 밀도를 제공한다.

투샤르 다야구데(Tushar Dhayagude) 트랜스폼 필드 애플리케이션/기술 영업 담당 부사장은 “트랜스폼은 가장 광범위한 애플리케이션에 대해 가장 폭넓은 전력 수준을 포괄하는 유일한 GaN FET 포트폴리오를 제공한다는 점에서 독보적”이라고 강조했다. 그는 “트랜스폼의 전원 어댑터 레퍼런스 디자인은 트랜스폼의 저전력 기능을 강조한다”며 “트랜스폼은 설계를 단순화할 수 있고 컨트롤러에 구애받지 않는 PQFN와 TO-220 장치를 제공한다”고 말했다. 다야구데 부사장은 “이는 고객사가 그 밖의 기능에 더해 획기적인 전력 효율 수준을 달성할 수 있는 GaN 솔루션을 시장에 빠르고 쉽게 출시하는 데 도움이 된다”고 설명했다. 이어 “이것이 바로 트랜스폼의 GaN이 추구하는 것”이라고 강조했다.

웹사이트(https://bit.ly/3O9996h)에서 전원 어댑터 레퍼런스 디자인 포트폴리오를 확인할 수 있다.

트랜스폼(Transphorm) 개요

GaN 혁신을 주도하는 글로벌 선도 기업 트랜스폼은 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 최고의 성능과 신뢰성을 갖춘 고전압 GaN 반도체를 설계하고 제조한다. 1000개 이상의 특허를 소유 또는 허가받아 최다 전력 GaN IP (지적 재산) 포트폴리오를 보유하고 있으며, 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증 GaN 반도체 소자를 생산한다. 수직으로 통합된 장치 비즈니스 모델을 통해 설계, 제작, 장치 및 응용 프로그램 지원 등 모든 개발 단계에서 혁신을 일으키고 있다. 트랜스폼은 혁신을 통해 전자제품이 실리콘의 한계를 극복하고, 99% 이상 효율을 달성해 전력 밀도를 40% 이상 높이는 한편, 시스템 비용을 20% 절감하게 하고 있다. 트랜스폼 본사는 미국 캘리포니아주 골레타에 있으며 골레타와 일본 아이즈에 생산 시설이 있다. 자세한 정보는 웹사이트(www.transphormusa.com)를 방문하거나 트위터(@transphormusa) 또는 위챗(@Transphorm_GaN)을 팔로우해 확인할 수 있다.

비즈니스와이어(businesswire.com) 원문 보기: https://www.businesswire.com/news/home/20220622005259/en/

[이 보도자료는 해당 기업에서 원하는 언어로 작성한 원문을 한국어로 번역한 것이다. 그러므로 번역문의 정확한 사실 확인을 위해서는 원문 대조 절차를 거쳐야 한다. 처음 작성된 원문만이 공식적인 효력을 갖는 발표로 인정되며 모든 법적 책임은 원문에 한해 유효하다.]

웹사이트: http://www.transphormusa.com/

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