갈륨 반도체, 최초의 ISM CW 증폭기로 포트폴리오 확장

GTH2e-2425300P는 표준 에어 캐비티 공간에서 ISM 애플리케이션을 위한 동급 최고의 광대역 효율성(>72%)과 RF 성능을 제공하며 최소한의 조정만 필요

베를린--(Business Wire / 뉴스와이어)--GaN RF 반도체 솔루션 공급업체로 인정받는 갈륨 반도체는 오늘 2.4-2.5 GHz, 300W 사전 정합 개별 GaN-on-SiC 고전자 이동성 트랜지스터(HEMT)인 GTH2e-2425300P ISM CW 증폭기의 출시를 발표했다. GTH2e-2425300P는 합성 다이아몬드 생산을 위한 반도체 플라즈마 소스와 마이크로파 플라즈마 화학 증기 증착(MPCVD) 장비를 포함한 광범위한 산업, 과학 및 의료(ISM) 애플리케이션에 새로운 수준의 효율성을 제공한다.

3D RF 에너지(3D RF Energy Corp)의 최고경영자 로저 윌리엄스(Roger Williams)는 “GTH2e-2425300P는 2.45GHz ISM 고체 전력 설계를 통해 성능과 사용 편의성의 새로운 기준을 제시한다. 내부 매칭 기능을 통해 76% 효율의 400W 협대역 설계이든 전체 대역에 걸쳐 72~74% 효율의 300W 설계이든 간단한 PCB 설계가 가능하다. 클래스 AB와 클래스 C 모두에서 잘 작동하며 포화 전력에서 17dB의 게인(gain)은 드라이버 요구 사항을 단순화한다”고 말했다.

2.4~2.5GHz의 주파수 범위 내에서 작동하고 50V 공급 레일로 구동되는 GTH2e-2425300P는 RF 전력 성능에 대한 벤치마크를 재정의하는 효율 등급을 제공한다. 76%(펄스, 100µs, 10% 듀티 사이클)의 최고 효율을 갖춘 이 HEMT는 RF 성능 개선을 위한 갈륨 반도체의 노력을 담고 있다. 측정된 데이터는 연속파 작동 시 72% 이상의 드레인 효율을 보여준다. 고정 튜닝 데모 보드는 자격을 갖춘 고객이 주문할 수 있다.

갈륨 반도체의 다중 시장 제품 마케팅 이사인 안젤로 안드레스(Angelo Andres)는 “GTH2e-2425300P는 RF 전력 증폭 기술의 발전을 의미하며 ISM 애플리케이션의 성능을 최적화하려는 우리의 헌신을 잘 보여주고 있다. 엔지니어들은 장기적인 제품 가용성 및 제품 지원을 위해 강력한 공급망 파트너를 찾고 있으며 이것이 바로 갈륨 반도체가 GTH2e-2425300P를 통해 제공하는 것이다. 우리는 고객을 더욱 지원하기 위해 ISM 시장을 위한 포트폴리오를 계속 강화할 것이다”고 언급했다.

ACP-800 4L 에어 캐비티 플라스틱 패키지에 담긴 GTH2e-2425300P는 Super-CMC(세라믹 매트릭스 복합재) 플랜지를 통해 탁월한 신뢰성과 열 성능(0.67°C/W)을 제공한다. 또한 다양한 시스템으로 통합을 단순화해 RF 엔지니어의 개발 프로세스를 향상한다. GTH2e-2425300P는 이제 샘플로 제공된다. 사양, 가격 세부 정보, 주문 정보에 관심이 있는 경우 sales@galliumsemi.com으로 문의할 수 있다.

EuMW에 참석하는 갈륨 반도체

갈륨 반도체는 9월 19~21일에 베를린의 유럽 마이크로웨이브 주간(European Microwave Week)에 참석하며 부스 469C에서 만날 수 있다. 갈륨 반도체는 GTH2e-2425300P 외에도 세 가지의 새로운 250 W L밴드 및 S밴드 레이더 제품과 새로운 DC-12GHz 범용 광대역 증폭기를 선보일 예정이다. 전시회를 방문하면 갈륨 반도체 RF GaN 솔루션에 대해 자세히 알아볼 수 있다.

갈륨 반도체 소개

갈륨 반도체는 고급 RF GaN 솔루션을 제공하는 선도적인 기업으로 고성능 및 고효율 장치를 전문적으로 취급한다. GaN-on-SiC 기술에 중점을 두고 있는 갈륨 반도체는 무선 통신, 레이다 시스템, ISM 및 위성 통신을 비롯한 다양한 애플리케이션을 위한 혁신적 솔루션을 제공하는 데 전념하고 있다.

웹사이트: www.galliumsemi.com

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