서울--(뉴스와이어)--동부일렉트로닉스(대표: 윤대근 부회장, www.dongbuelec.com)는 8일 대만의 세계적인 플래시 메모리 설계회사인 Eon Silicon Solution社와 공동으로 파운드리 업계 최초로 0.13미크론급 노어 플래시 칩을 개발했다고 밝혔다.

동부일렉트로닉스는 조만간 시제품 생산 등 관련 절차를 마무리 짓고 3분기부터 월 2,000장 규모로 이 칩을 공급하기 시작한 후 차츰 공급량을 늘려나가기로 합의했다고 밝혔다.

이번에 개발한 노어 플래시 칩은 32메가 · 64메가 · 128메가 등의 3종류로 3.3V 전압을 지원하는 특성을 가지고 있으며, 메모리 셀(Cell: 디지털 정보의 최소 단위인 1비트를 저장할 수 있는 소자) 사이즈가 노어 플래시를 생산하는 대표적 기업인 인텔의 0.13미크론급 제품보다 작아 웨이퍼 당 생산량이 많아지는 등 높은 가격 경쟁력을 확보하고 있다.

동부일렉트로닉스 관계자는 “지난 2004년부터 0.18미크론급 노어 플래시를 생산하며 축적된 공정기술 개발과 양산 경험이 0.13미크론급 칩 개발로 이어져 제품의 안정성이 특히 뛰어나다”고 밝혔다. 또한 “이번에 개발한 공정기술은 TSMC, UMC 등의 파운드리 선발 업체들이 아직 개발하지 못한 기술로 세계 시장에서의 경쟁력을 한층 높일 수 있게 되었다”고 덧붙였다.

특히 이번에 개발한 공정기술은 휴대폰 · LCD · DVD 등 최근 급격히 성장하고 있는 무선 통신과 첨단 가전 제품에 사용될 예정으로 향후 다양한 고객을 충분히 확보할 수 있을 것으로 예상되어 매출 증대와 수익성 개선이 기대된다.

동부일렉트로닉스는 또한 올해 중으로 전력 소모를 대폭 감소시킬 수 있는 1.8V 전압 지원이 가능한 0.13미크론급 노어 플래시를 개발해 내년 초부터 양산할 계획이라고 밝혔다. 이 칩은 특히 휴대폰 생산에서 반드시 필요한 저전력 · 저전압에 초점을 맞춰 개발될 계획이다.

동부일렉트로닉스는 이와 함께 향후 시장 성장성이 높고 경쟁사들의 기술 개발이 미진한 CIS(CMOS 이미지 센서), 고전압 반도체(High Voltage), 임베디드 플래시(Embedded Flash) 등의 특화기술과 첨단 가전 및 모바일 제품에 사용되는 0.13미크론급 공정의 고부가가치 제품 생산의 비중을 늘려나갈 계획이다.

동부하이텍 개요
동부하이텍은 고부가가치 특화 제품을 기반으로 세계적인 시스템반도체 전문회사로 성장래 나가고 있다. 동부는 1983년 반도체 웨이퍼를 생산하는 코실을 설립하고, 1992년 반도체 웨이퍼의 소재인 '고순도 다결정 실리콘'을 세계 두 번째로 개발하였다. 이후 반도체 소재분야에서 축적한 기술과 사업경험으로 97년 동부전자를 설립하였다. 2007년 동부하이텍을 출범하여 미래형 첨단 시스템반도체 회사로 성장하기 위한 기반을 마련하였다.

웹사이트: http://www.dongbuhitek.co.kr

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