동부하이텍, 美 킬로패스와 고집적 전력반도체용 IP 개발

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2009-05-26 10:19

서울--(뉴스와이어)--동부하이텍(대표: 박용인 사장)은 26일 세계적인 반도체 설계자산(IP) 회사인 美 킬로패스(Kilopass)社와 고집적 전력반도체용 설계자산(IP: Intellectual Property)을 개발하기로 했다고 밝혔다.

이번에 개발하는 IP는 전력반도체(PMIC: Power Management IC) 등에 내장되어 있는 메모리를 설계할 수 있는 디자인 프로그램으로, 전원이 끊어져도 정보가 지워지지 않는 비휘발성(Non-Volatile) 특징이 있다.

반도체 설계회사(팹리스)들이 이 IP를 사용하여 전력반도체를 설계할 경우 IP를 개발하는 데 소요되는 수 개월의 기간을 단축하고 개발 비용을 절감할 수 있게 된다.

특히 이번 IP는 1비트에 2개의 트랜지스터를 사용하는 기존 제품들과는 달리 1비트에 1.5 트랜지스터를 사용하여 메모리의 크기를 약 30% 이상 축소할 수 있어서 배터리 관리 · 전압 조절 등 다양한 기능을 수행하는 고집적 전력반도체를 설계하는 데 적합하다.

또한 원타임 프로그래머블 (OTP: One-Time Programmable) 기능이 있어 정보를 한번만 기록하면 되므로 정보의 삭제·기억을 위한 부동 게이트(Floating Gate)를 사용하지 않아 별도의 추가 포토 마스크(Photo Mask)*가 필요 없게 되어 칩의 제조 시간을 단축함은 물론 비용도 절감할 수 있다.

또한 추가적인 기록이 불가능한 OTP 기능으로 해당 칩의 데이터 등 중요한 정보가 경쟁사에 의하여 위 · 변조되는 것을 방지할 수 있다.

이번 IP는 주로 0.18미크론급 복합고전압소자(BCDMOS: Bipolar CMOS DMOS) *공정으로 생산되는 오디오 앰프 IC, PMIC 등 고집적 전력 반도체에 사용될 예정이다.

동부하이텍 관계자는 “이번에 개발하는 IP와 0.18미크론급 BCDMOS 공정을 기반으로 전력용반도체, 컨버터(Converter), LED 구동 칩 등의 단일 전력반도체를 넘어 고집적 전력반도체 시장에서도 경쟁력을 갖춰가게 될 것”이라고 밝혔다.

전력용반도체는 메인 전원을 공급 받아 시스템에서 요구하는 안정적이고 효율적인 전원으로 변환 · 배분하는 전력 변환 회로를 하나의 칩으로 구현하는 반도체로 휴대폰·PDA·스마트폰 등 대부분의 전자 제품에 사용된다.

반도체 전문 시장조사기관인 아이서플라이에 따르면 전력용반도체 시장은 매년 평균 9.9%씩 꾸준히 성장해 2012년에는 380억불 규모의 시장을 형성할 전망이다.

동부하이텍 개요
동부하이텍은 고부가가치 특화 제품을 기반으로 세계적인 시스템반도체 전문회사로 성장래 나가고 있다. 동부는 1983년 반도체 웨이퍼를 생산하는 코실을 설립하고, 1992년 반도체 웨이퍼의 소재인 '고순도 다결정 실리콘'을 세계 두 번째로 개발하였다. 이후 반도체 소재분야에서 축적한 기술과 사업경험으로 97년 동부전자를 설립하였다. 2007년 동부하이텍을 출범하여 미래형 첨단 시스템반도체 회사로 성장하기 위한 기반을 마련하였다.

웹사이트: http://www.dongbuhitek.co.kr