스팬션, TSMC와 협력 통해 300mm 웨이퍼, 90nm 공정의 미러비트 플래시 메모리 생산

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스팬션

2006-07-25 10:19

서울--(뉴스와이어)--세계적인 플래시 메모리 전문기업인 스팬션은 세계 최대의 파운드리 업체인 TSMC와 수탁가공 계약을 통해 스팬션의 300mm 웨이퍼에서 90nm 공정기술을 적용한 미러비트 기술 기반의 플래시 메모리를 생산키로 했다고 발표했다.

TSMC는 2006년 2분기부터 110nm 공정의 미러비트 플래시 메모리 제품을 생산하고 있으며, 스팬션은 미러비트 기술 기반의 제품에 대한 지속적 수요 증가에 따라 90nm 공정의 미러비트 플래시 메모리를 추가 생산키로 했다.

90nm 공정기술을 적용한 첫 미러비트 제품군은 2007년 2분기에 출시될 예정이며, 양사간의 합의에 따라 TSMC는 스팬션의 90nm 공정기술을 이용한 전용라인을 운영하게 된다.

이번 TSMC와 수탁계약을 통한 생산라인 확보를 통해서 스팬션은 생산 능력을 더욱 확충할 수 있게 되었으며, 스팬션의 현재 대표적 생산 설비 현황은 다음과 같다.

· 미국 텍사스 오스틴에 위치한 Fab 25에서 90nm 미러비트 제품 생산. 2007년 중 65nm 공정 도입 예정

· 일본 아이주-와카마츠에 위치한 스팬션 JV3에서 110nm 미러비트 제품 생산

· 일본 아이주-와카마츠에 2008년 중반에 새롭게 설립될 SP1에서 300mm 웨이퍼로 45nm 미러비트 제품군 생산 계획. 또한 SP1은 2007년 중 65nm 미러비트 제품군 출시 개시할 계획임

스팬션의 최고운영책임자인 짐 도란 (Jim Doran)은 “스팬션의 미러비트 기술을 적용한 제품군에 대한 수요가 매우 높다”라며 “이번 파운드리 계약을 통해 생산 능력의 유연성을 더욱 강화할 수 있게 되었으며, 생산의 효율성을 극대화하면서도 증가하는 고객의 수요에 적극적으로 대응할 수 있게 되었다”라고 밝혔다.

TSMC의 수석부사장인 케네스 킨 박사(Dr. Kenneth Kin)는 “스팬션은 90nm 미러비트 기술로 옮겨가고 있으며, 스팬션의 플래시 메모리에 대한 전문성과 미러비트 기술에 TSMC의 생산능력이 합쳐진 파트너쉽을 통해 스팬션의 고객들에게 최대의 이익을 줄것이다” 라고 말했다.

스팬션 개요
Spansion(NYSE: CODE)은 플래시 메모리 기반의 임베디드 시스템 솔루션 분야에서 글로벌 리더이다. Spansion의 플래시 메모리, 마이크로 컨트롤러, 혼합 신호 및 아날로그 제품들은 더욱 빠르고 지능적이며 안전하고 에너지 효율적인 전자 기술의 발전을 주도하고 있다. Spansion은 자동차 전자 및 산업 시스템에서부터 사람들의 일상 생활을 풍요롭게 하는 고도의 상호 작용 및 소비자 가전에 이르기까지 모든 것을 연결하고 제어하며 저장하고 동력을 공급하는 전자 시스템의 중심부에 있다. 스팬션에 대한 더 많은 정보는 http://www.spansion.com를 참조하면 된다.

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