동부일렉트로닉스, 美 케이던스와 고전압 반도체용 PDK 개발
이번 PDK는 60V급 고전압 반도체용으로 0.35미크론급 BCDMOS (Bipolar, CMOS, DMOS) 공정기술에 적합하도록 개발되었다.
이번 PDK 개발로 팹리스(Fabless: 반도체 설계회사)들은 동부일렉트로닉스 Fab의 장비와 공정의 특성을 최적화한 PDK를 이용하여 고전압 반도체를 설계할 때 제품 설계와 양산에 소요되는 시간과 비용을 대폭 절감할 수 있게 되었다.
고전압 반도체는 자동차 · 모터구동 IC · DDI (Display Drive IC) · 컴퓨터 주변기기 · 모바일 통신기기 · 파워 매니지먼트 등 다양한 첨단 전자제품에 사용되는 반도체이다.
전문 시장 조사 기관인 IC Insights · Frost & Sullivan · 디스플레이뱅크 등에 따르면 2004년 230억 달러에서 2007년 359억 달러로 급성장할 것으로 예상되고 있으며, 현재 유럽(점유율 39%), 미국(24%), 일본(22%) 등이 생산을 주도하고 있어서 국내에서는 대부분 수입에 의존하고 있는 반도체이다.
동부일렉트로닉스는 “고전압 반도체는 다양한 응용 제품를 가진 큰 시장임에도 불구하고 선진국에 비해 기술 수준이 낮았던 분야”라며, “이번 PDK 개발 등 관련 기술이 순차적으로 확보되면서 국내 팹리스들에게 이 시장에 진출할 수 있는 설계 기반을 안정적으로 지원할 수 있게 되었다”고 강조했다.
이번 고전압 반도체용 PDK 개발은 산업자원부 차세대성장동력반도체사업단 (단장: 조중휘 교수)의 대과제 중의 하나인 ‘차세대 SoC를 위한 고전압 소자 기술 개발’ 프로젝트의 중간 연구 결과물이다.
이 대과제는 동부일렉트로닉스가 주관기관으로, 전력용반도체 전문기업인 페어차일드가 참여기관으로, 한양대학교가 위탁기관으로 각각 참여하고 있다.
차세대성장동력사업단은 “이 프로젝트가 완료되면 자동차용 IC 등 다양한 분야에서 3년간 약 1900억원 규모의 고전압 반도체가 생산될 수 있을 것”이라고 예상하고, “이는 국내 비메모리 반도체 분야의 수준을 질적으로 발전시킬 수 있는 계기가 될 것” 이라고 밝혔다.
이번 60V급 BCDMOS PDK 확보에 이어 85V급 BCDMOS기술, 5V급 아날로그 고전압반도체 공정기술도 순차적으로 개발될 예정이다.
동부하이텍 개요
동부하이텍은 고부가가치 특화 제품을 기반으로 세계적인 시스템반도체 전문회사로 성장래 나가고 있다. 동부는 1983년 반도체 웨이퍼를 생산하는 코실을 설립하고, 1992년 반도체 웨이퍼의 소재인 '고순도 다결정 실리콘'을 세계 두 번째로 개발하였다. 이후 반도체 소재분야에서 축적한 기술과 사업경험으로 97년 동부전자를 설립하였다. 2007년 동부하이텍을 출범하여 미래형 첨단 시스템반도체 회사로 성장하기 위한 기반을 마련하였다.
웹사이트: http://www.dongbuhitek.co.kr
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