이번 발명경진대회에서는 총 77편의 응모작이 출품되었으며, 이중 1차 심사를 통과한 10편에 대한 심사와 시상이 이루어졌다.
이날 발명경진대회에서는 “Probe Test와 Wire-Bonding 작업시 Pad의 디자인을 변경하여 Pad의 균열(Crack)을 방지할 수 있는 방법”을 연구 · 발표한 김진한 과장(Fab2 제품기술 2팀)이 대상(Grand Prix)을, “컬러 필터간 높이 차이를 이용하여 CMOS 이미지센서의 마이크로 렌즈를 형성 방법”을 연구 · 발표한 이상욱 과장(RET팀)이 금상(Creativity Award)을, “정전압과 부전압을 하나의 차지(Charge) 펌프와 레귤레이터로 구현하여 SoC(System on Chip) 칩 제작에 기여할 수 있는 방법”를 연구 · 발표한 이용섭 과장(IP개발팀)이 은상(Productivity Award)을 수상했다. 이밖에 박성근 과장(Fab2 제춤기술2팀)외 6명이 장려상(Best of Best Award)을 수상했다.
또한 올 한해 동안 발명에 기여한 공로가 인정된 공정개발3팀이 최우수발명 팀(Superior Invention Team)상을, 한재원 부장(공정개발3팀)과 황상일 대리(공정개발1팀)가 각각 우수발명인(Platinum Inventor)상을 수상했다.
또한 정은수 대리(Fab2 공정개발부)와 최원근 과장(Fab1 제조기술 3팀)이 특허공로상을 수상했다.
수상자 전원에게는 상패와 포상금 외에 승진할 경우 가산점이 부여되는 등 인사상의 혜택이 주어진다.
이번 심사는 KBK 특허 사무소의 강성무 변리사, 법무법인 지평의 남희섭 변리사 등 사내외의 특허 및 반도체 관련 전문가로 구성된 10여명의 심사위원단이 발명의 기술성, 특허성, 경제성 및 파급 효과 등을 종합적으로 평가하였다.
동부일렉트로닉스 관계자는 “이번 대회는 임직원들의 발명 의지를 북돋고, 실용적이고 경제성 있는 발명을 발굴하여 회사의 기술 경쟁력을 높이는 의미 있는 행사”라고 밝히고, “이번 발명들은 모두 특허 출원했으며, 이를 통해 향후 기술 로열티를 기대할 수 있을 뿐만 아니라 반도체 생산 공정 곳곳에 적용되어 생산성 향상에 큰 도움이 될 것”이라고 강조했다.
실제로 지난 1회 발명 경진 대회에서 우수 발명으로 선정된 “CMOS 이미지 센서 및 제조 방법”은 기존의 CMOS 이미지 센서에서 가장 큰 문제로 제기되었던 “암전류(暗電流, Dark Current)” 문제를 해결하여 CIS칩의 해상도를 높이는 등 품질 향상에 크게 기여하였으며, 그 공로를 인정받아 작년 특허청에서 주관한 “제 12회 직무발명경진대회”에서 국무총리상을 받았다.
동부일렉트로닉스는 지금까지 4회에 걸친 발명 경진 대회를 통해 임직원들의 발명 의식을 고취시켜 올해에만 국내 1,575건을 포함해 해외 652건을 출원하여 총 2,227건의 특허를 출원하였다.
동부하이텍 개요
동부하이텍은 고부가가치 특화 제품을 기반으로 세계적인 시스템반도체 전문회사로 성장래 나가고 있다. 동부는 1983년 반도체 웨이퍼를 생산하는 코실을 설립하고, 1992년 반도체 웨이퍼의 소재인 '고순도 다결정 실리콘'을 세계 두 번째로 개발하였다. 이후 반도체 소재분야에서 축적한 기술과 사업경험으로 97년 동부전자를 설립하였다. 2007년 동부하이텍을 출범하여 미래형 첨단 시스템반도체 회사로 성장하기 위한 기반을 마련하였다.
웹사이트: http://www.dongbuhitek.co.kr
연락처
동부일렉트로닉스 홍보팀 권기주 02-3484-2834,011-9040-8767
