STMicroelectronics, 1-Gbit 및 512-Mbit의 65nm MLC (Multi-Level Cell) NOR 플래시 출시 발표

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2007-02-23 12:37

서울--(뉴스와이어)--최고의 휴대폰용 플래시 메모리 솔루션 공급업체인 STMicroelectronics (NYSE: STM)는 NOR 플래시 메모리의 65nm PR 제품군 출시를 발표했다.

4세대 MLC (multi-level-cell) 기술 기반의 65nm PR 제품군은 기존 90nm NOR 플래시 PR 제품군과 하드웨어 및 소프트웨어 호환이 완벽하게 이루어져, 고객이 기존 제품에서 손쉽게 교체할 수 있으면서, 동시에 메모리 용량 증가 및 성능 향상을 제공한다.

고해상도 카메라, 멀티미디어 콘텐츠, 모바일 애플리케이션의 고속 인터넷 연결 요구를 충족하는 ST의 65nm PR 제품군은 133MHz의 버스트 읽기 속도, 1.0Mbyte/sec의 프로그램 처리 및 전원 1.8V로 작동하는 DPD (Deep Power Down: 자동 전력 차단) 모드를 제공한다. 이 첨단 NOR 플래시 제품군은 MCP (Multi-Chip Packages) 및 PoP (Package-on-Package) 솔루션의 공유 버스와 분할 버스 구성을 지원하여 LPSDRAM, LPDDR-SDRAM, PSRAM 및 NAND 디바이스와 함께 결합되어 공급된다.

세미컨덕터 인사이트 (Semiconductor Insights)의 메모리 부문 수석 연구원인 제프 맥길리브레이 (Geoff Mac Gillivray)는 “STMicroelectronics는 65nm 공정 기술로 확장함으로써, OEM에게 고용량 NOR 플래시 솔루션으로 설계할 때 옵션을 제공하면서 경쟁력 있는 솔루션을 제공한다. ST의 1-Gbit MLC NOR 플래시는 주요 경쟁사와 비교해 볼때, 업계 최소 크기인 50.8mm²의 다이 사이즈를 갖추어, 20.16-Mbit/mm²의 가장 빠른 mm²당 Mbit 속도를 제공한다. 또한 0.042µm² 밖에 되지 않는 소형 셀 크기도 인상적이다.”라고 평가했다.

무선 NOR 플래시 사업부 부사장 겸 총괄이사인 마르코 댈러보라 (Marco Dallabora)는 “65nm MLC 기술이 적용된 1GB의 모놀리식 메모리는 최종 사용자에게 첨단 시스템 성능과 향상된 경험을 제공할 수 있다. 이 제품은 512MB 65nm NOR 플래시 디바이스와 함께, 입증된 고성능 플랫폼에 이미 사용중인 ST의 90nm NOR 플래시를 쉽게 교체할 수 있다.”라고 말했다.

65nm PR 제품군은 STMicroelectronics와 Intel이 2005년 12월 발표한 공동 협력의 일환으로 개발되었다. 현재 진행 중인 협업을 통해 고객에게 다중 소스라는 유연성을 갖춘 최신 고성능 제품을 제공하고 있다.

현재 샘플이 출시되었으며, 양산은 2007년 상반기에 시작된다. PSRAM, LPSDRAM 및 NAND 디바이스와 함께 적층된 패키지로 제공되는 256-Mbit, 512-Mbit 및 1-Gbit 디바이스의 예상 가격은 10~30 달러대이다.

또한 본 보도자료 및 NOR 플래시 IC의 65nm PR 패밀리에 대한 자세한 정보는 아래의 사이트에서 확인할 수 있다.
www.st.com/stonline/stappl/press/news/year2007/p2122.htm

ST마이크로일렉트로닉스 개요
ST마이크로일렉트로닉스는 혁신적인 반도체 솔루션을 다양한 전자 애플리케이션 분야의 고객들에게 제공하고 있는 세계적인 선도업체이다. ST는 자사의 방대한 기술, 설계 전문기술 및 IP 포트폴리오 통합, 전략적 협력업체와 강력한 제조시설 등을 활용하여 멀티미디어 컨버전스 및 전력 애플리케이션 분야에서 명실상부한 선도업체가 되는 것을 목표로 하고 있다. ST의 2010년도 매출은 103억 5,000만 달러이다. ST에 대한 보다 상세한 정보는 www.st.com를 참조하라.

웹사이트: http://www.st.com