동부하이텍, 제4회 반도체 논문경진대회 개최
이번 논문경진대회는 디자인 서비스와 공정기술의 개선 등 무형자산을 확보하고 기술 경쟁력을 제고하여 고객들에게 한층 업그레이드된 파운드리 서비스를 제공하기 위하여 이루어졌다.
이번 논문 경진대회에는 총 119편의 논문이 접수되었으며, 1차 서면 심사를 통과한 20편의 논문에 대한 본선 심사와 우수 포스터에 대한 시상이 있었다. 본선 심사는 전문성과 객관성을 고려하여 서울대 재료공학부 윤의준 교수, 전기공학부 이혁재 교수 등 사내외 반도체 전문가 10인으로 구성된 심사위원들이 논문에 발표된 제품의 상용화 가능성 · 기술의 유용성 및 특허성 · 학술성 등을 기준으로 평가되었다.
이날 논문경진대회에서는 「90나노 노어 플래시 개발」을 발표한 김성진 대리(공정개발팀)가 대상을 수상하였다. 또한 「Edge defocus 개선을 통한 Yield 향상 및 생산성 향상을 위한 AF&AL 적정화」를 발표한 김호근 사원(제조기술1팀)외 2명이 금상을, “SOA 특성 향상을 위해 게이트 단차 구조와 STI 이온 주입 방법을 적용한 DEMOS 구조”를 발표한 유재현 사원(Device Engineering팀)외 3명이 은상을, “0.13um CMOS 공정 기술을 적용한 650MHz 주파수 합성기의 설계”을 발표한 유민종 사원(IP개발팀)외 4명이 동상을 수상했다. 수상자 전원에게는 포상금 외에 승진할 경우 가산점이 부여되는 등 인사상의 혜택이 주어진다.
특히 대상을 수상한 “90나노 노어 플래시 개발”은 파운드리 업계 최초로 이루어진 기술개발로, 지난 해 6월에 개발한 130나노 노어 플래시 보다 셀(Cell) 크기를 약 50% 정도 감소시켜 웨이퍼 단위당 칩 수를 증가시켜 매출 증대에 기여할 것으로 평가 받았다.
또한 이번 논문경진대회에서는 서울대 윤의준 교수가 반도체 업계의 선진 공정기술로 평가 받고 있는 초고진공화학기상증착(UHVCVD) 방법으로 만들어진 실리콘-게르마늄 층(SiGeC)을 활용한 전도성 막 형성 공정(주제 명: Growth of SiGeC by UHVCVD and its application to relaxed SiGe)에 대한 세미나를 열어 열띤 토론을 진행하기도 했다.
동부하이텍 관계자는 “현재까지 4회에 걸친 논문경진대회를 통해 배출된 350 여건의 논문 중 기술 특허성에서 우수한 평가를 받은 많은 논문들에 대해 국내외에 특허를 출원하였으며, 본선에 진출한 우수 논문은 국내외 주요 학회지와 학술대회에서 발표되는 등 동부하이텍의 연구개발 및 공정기술 능력의 우수성을 대내외에 입증하는 의미 있는 성과를 거두고 있다”고 밝히고, “이를 통해 신규 고객 확보에도 기여할 수 있을 것”이라고 강조했다.
동부하이텍 개요
동부하이텍은 고부가가치 특화 제품을 기반으로 세계적인 시스템반도체 전문회사로 성장래 나가고 있다. 동부는 1983년 반도체 웨이퍼를 생산하는 코실을 설립하고, 1992년 반도체 웨이퍼의 소재인 '고순도 다결정 실리콘'을 세계 두 번째로 개발하였다. 이후 반도체 소재분야에서 축적한 기술과 사업경험으로 97년 동부전자를 설립하였다. 2007년 동부하이텍을 출범하여 미래형 첨단 시스템반도체 회사로 성장하기 위한 기반을 마련하였다.
웹사이트: http://www.dongbuhitek.co.kr
연락처
동부하이텍 홍보팀 권기주 02-3484-2834,011-9040-8767
-
2009년 6월 25일 10:24