동부하이텍, EMLSI에 0.15미크론급 SRAM 공급
이번에 개발하여 공급하기로 한 0.15미크론급 SRAM은 3V에서 동작하는 8메가 제품이다. 양사는 조만간 2메가 제품과 더불어 5V 전압을 지원하는 4메가 SRAM 등 다양한 제품을 추가 개발하여 양산할 예정이다.
이번에 공급하는 SRAM은 세계 최고 수준의 저전력 특성을 지니고 있어 휴대폰, PDA, 전자사전, e-북 등 다양한 모바일 통신 및 첨단 가전 제품에 적용될 예정이다.
SRAM(Static Random Access Memory)은 정보기억장치의 하나로 DRAM(Dynamic Random Access Memory)보다 데이처 처리 속도가 5배 이상 빠르고 소규모 용량의 데이터를 처리하며, 전력 소모가 작아 주로 휴대폰, PDA 등 첨단 모바일 제품에 사용된다.
동부하이텍 관계자는 “이번 공정 개발로 그 동안 0.18미크론급으로 공급되었던 1, 2, 4, 8메가 SRAM 제품을 점차적으로 0.15미크론급 공정으로 이관하여 생산·공급할 예정이며, 또한 신규 공정 제품도 점차 늘게 될 것”이라고 밝히, “0,15미크론급 공정의 웨이퍼 당 판매 단가가 0.18미크론급 공정 보다 상대적으로 높아 수익성 개선에도 크게 도움이 될 것”이라고 덧붙였다.
동부하이텍 개요
동부하이텍은 고부가가치 특화 제품을 기반으로 세계적인 시스템반도체 전문회사로 성장래 나가고 있다. 동부는 1983년 반도체 웨이퍼를 생산하는 코실을 설립하고, 1992년 반도체 웨이퍼의 소재인 '고순도 다결정 실리콘'을 세계 두 번째로 개발하였다. 이후 반도체 소재분야에서 축적한 기술과 사업경험으로 97년 동부전자를 설립하였다. 2007년 동부하이텍을 출범하여 미래형 첨단 시스템반도체 회사로 성장하기 위한 기반을 마련하였다.
웹사이트: http://www.dongbuhitek.co.kr
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