스팬션, 소노스 구조의 차세대 아키텍처 미러비트? 오어낸드™ 발표

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스팬션

2007-11-21 09:10

서울--(뉴스와이어)--세계적인 플래시 메모리 전문 기업 스팬션은 300mm 웨이퍼에서 45nm 공정기술의 SONOS 구조의 셀을 가진 차세대 대용량 미러비트 메모리 기술을 발표했다.

스팬션 고유의 미러비트 기술이 적용된 플래시 메모리는 현재까지 20억 달러 이상의 제품을 공급했으며 스팬션 자체의 전체 노어 플래시 메모리 생산량의 약70%를 차지하고 있을 정도로 검증된 기술이다.

지금까지의 플로팅 게이트 방식의 메모리는 산화막(Oxide)에 데이터를 저장하지만, SONOS 방식에서는 부도체인 질화막(Nitride)에 데이터를 저장하게 되어, 저장된 데이터의 안정성이 더욱 높아지고, 셀 사이즈를 더욱 축소할 수 있는 차세대 기술로 인식되고 있다.

SONOS구조의 미러비트 기술은 45nm 이하 공정에서도 지속적으로 셀 사이즈를 축소해 갈수 있는 기술이다. 또한, 스팬션은 미러비트 기술 기반의 모든 제품을 동일 팹에서 효율적으로 생산할 수 있게 되어 플래시 메모리 시장에서 더욱 경쟁력을 강화할 수 있게 되었다.

스팬션의 연구개발 담당 수석부사장인 루 파릴로 (Lou Parrillo) 박사는 “스팬션은 Charge Trapping Storage 기술의 대량 생산에 성공한 유일한 플래시 메모리 기업”이라며 “스팬션 고유의 혁신적인 미러비트 기술과, 300mm 웨이퍼 생산능력 확보를 통해 제품 로드맵을 더욱 확장할 수 있게 되었으며, 미러비트 기술 발전에 더욱 박차를 가할 수 있게 되었다”라고 밝혔다.

지금까지 업계에서는 SONOS방식 메모리 양산에 어려움을 겪고 있지만, 스팬션은 업계에서 유일하게 SONOS 방식 미러비트 메모리 생산을 성공적으로 수행하고 있다.

이 기술을 적용한 차세대 미러비트 오어낸드 제품은 2009년초 양산될 예정이다.

시장조사기관인 오브젝티브 애널리시스의 책임자인 짐 핸디는 “기술발전에 따라 45nm이하에서는 플로팅 게이트 방식이 적용되기 어렵다. 많은 회사들이 charge trapping 기술을 해결방식으로 여기고 있으나 스팬션만이 유일하게 양산에 성공했다. 스팬션은 지난 4년여 동안 charge trapping 공정으로 제품을 양산해 왔으며, 경쟁자들과의 격차를 벌려왔다. 소노스 방식의 셀 구조에 낸드 방식의 배열을 갖춘 차세대 미러비트 오어낸드2 아키텍처를 통해 스팬션은 새로운 시장에서 리더쉽을 확대해 나갈 수 있을 것”이라고 밝혔다.

스팬션 개요
Spansion(NYSE: CODE)은 플래시 메모리 기반의 임베디드 시스템 솔루션 분야에서 글로벌 리더이다. Spansion의 플래시 메모리, 마이크로 컨트롤러, 혼합 신호 및 아날로그 제품들은 더욱 빠르고 지능적이며 안전하고 에너지 효율적인 전자 기술의 발전을 주도하고 있다. Spansion은 자동차 전자 및 산업 시스템에서부터 사람들의 일상 생활을 풍요롭게 하는 고도의 상호 작용 및 소비자 가전에 이르기까지 모든 것을 연결하고 제어하며 저장하고 동력을 공급하는 전자 시스템의 중심부에 있다. 스팬션에 대한 더 많은 정보는 http://www.spansion.com를 참조하면 된다.

웹사이트: http://www.spansion.com