동부하이텍-에스이티아이(SETi), 130만화소 CIS반도체 공동 개발

서울--(뉴스와이어)--동부하이텍 반도체부문(대표: 오영환 사장, http://www.dongbuhitek.co.kr)과 에스이티아이(대표:이창조 사장, http//www.nice.seti.com)는 3일 110나노급 공정기술을 이용한 130만 화소 CIS(CMOS 이미지 센서) 칩을 공동으로 개발하고, 1분기 중으로 양산에 들어갈 예정이라고 밝혔다.

이번 130만 화소 CIS 칩 개발은 동부하이텍과 전략적 제휴를 맺고 있는 CIS 반도체 설계 전문회사인 에스이티아이(SETi)가 공동으로 이뤄낸 첫 성과물로 의의가 크다. 양사는 조만간 200·300·500만 화소까지의 다양한 CIS 제품을 지속적으로 개발해 공급량을 점차 늘려나가는 등 협력 관계를 더욱 강화할 계획이라고 밝혔다.

이번 CIS 개발에는 에스이티아이 R&D 인력과 동부하이텍 공정설계 인력이 함께 참여하여 초기 단계에서부터 양산을 염두에 두고 반도체를 설계하고, 자체적으로 개발한 라이브러리(Library)를 설계 데이터베이스로 사용하여 보통 1년 이상 소요되는 설계 기간을 6개월로 대폭 줄일 수 있게 되었다.

동부하이텍은 향후 CIS 모듈 제작과 판매에까지 비즈니스 영역을 넓혀 매출 확대 및 수익성 제고에 역점을 기울일 계획이다.

이번 신공정 개발을 주도한 동부하이텍 황준 상무는 “최근 130나노 CIS를 본격적으로 양산하기 시작한 데 이어 이번에 110나노 CIS를 개발함으로써 1.75um x 1.75um 픽셀피치를 구현할 수 있게 돼, 선두 업체와 미세공정의 CIS 분야에서도 충분한 경쟁을 할 수 있는 기반을 마련했다.”고 밝히고, “동시에 이미지 선명도 등 CIS 화질 수준은 높게 유지하면서 칩 크기를 대폭 줄일 수 있는 신개념의 특화기술도 개발하고 있는 등 최고의 경쟁력을 갖춘 세계적인 CIS 전문회사로 발돋움하기 위해 투자를 아끼지 않을 것”이라고 강조했다.

동부하이텍 개요
동부하이텍은 고부가가치 특화 제품을 기반으로 세계적인 시스템반도체 전문회사로 성장래 나가고 있다. 동부는 1983년 반도체 웨이퍼를 생산하는 코실을 설립하고, 1992년 반도체 웨이퍼의 소재인 '고순도 다결정 실리콘'을 세계 두 번째로 개발하였다. 이후 반도체 소재분야에서 축적한 기술과 사업경험으로 97년 동부전자를 설립하였다. 2007년 동부하이텍을 출범하여 미래형 첨단 시스템반도체 회사로 성장하기 위한 기반을 마련하였다.

웹사이트: http://www.dongbuhitek.co.kr

연락처

동부하이텍 홍보팀 권기주 02-3484-2834,011-9040-8767

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