동부하이텍, 논문경진대회로 기술 경쟁력 높여
올해로 5회째를 맞은 이날 논문경진대회에서는 총 118편이 접수된 논문 중 1차 심사를 통과한 16편의 논문에 대한 심사가 이루어졌다.
이날 논문경진대회에서는 LDI칩의 출력 전압의 불균형을 개선한 「Source Driver IC 출력 산포 특성 개선에 관한 연구」를 발표한 공정개발팀이 대상을 수상하였다. 또한 「0.18um BCD 공정을 이용한 NPN Bipolar Junction Transistor(BJT)의 제조 및 그 특성」을 발표한 공정개발팀외 1팀이 금상을, 「디스플레이 드라이브 집적회로 기술에서 ESD 보호를 위한 비정상적인 누설 전류를 갖지 않는 고전압 게이트 접지 NMOS 소자」를 발표한 Device Engineering팀외 2팀이 은상을, 「45nm이하 logic 소자에 적용가능 한 via type air-gap에 관한 연구」를 발표한 제품개발팀외 3팀이 동상을 수상했다. 수상자 전원에게는 포상금 외에 승진할 경우 가산점이 부여되는 등 인사상의 혜택이 주어진다.
특히 대상을 수상한 「Source Driver IC 출력 산포 특성 개선에 관한 연구」는 그 동안 LDI(LCD Driver IC)의 고질적인 문제였던 채널별(622/ 720채널) 출력 전압의 불균형을 개선하여 각 채널마다 전압이 고르게 나오도록 함으로써 LCD 화면의 화질을 선명하게 개선한 점을 높이 평가 받았다.
특히 이번 논문경진대회는 그 동안 주요 연구분야였던 이동통신과 디스플레이 제품용 반도체 이외에도 복합고전압소자(BCDMOS: Bipolar CMOS DMOS) 공정을 활용한 SoC(System On a Chip)분야와 90나노, 45나노 등 차세대 공정 부문에서도 의미 있는 연구성과가 나와 한층 더 향상된 기술 경쟁력을 선보였다는 평가다.
이날 심사는 전문성과 객관성을 고려하여 고대홍 연세대학교 공과대학 세라믹공학과 교수, 조경순 한국외국어대학교 정보산업공과대학 전자정보공학부 교수 등 사내외 반도체 전문가 10인으로 구성된 심사위원들이 논문에 발표된 제품의 상용화 가능성, 학술성, 참신성 등을 기준으로 평가했다.
또한 이번 논문경진대회에서는 고대흥 연세대 교수가 「90나노 이하 반도체 소자에서 동작전류의 양을 증가시키는 등 차세대 반도체의 성능을 향상시키기 위해 필요한 스트레인드 실리콘(주제명: FEP Issues on Strained Silicon Technologies) 」을 주제로 세미나를 열어 열띤 토론이 이루어졌다.
동부하이텍 관계자는 “이번 대회는 아날로그 반도체를 포함한 SoC 부문과 IP(Intellectual Property: 반도체 설계자산) 개발 등 반도체 설계지원 부문에서 의미 있는 연구개발 성과가 많이 나왔다”고 밝히고, “이번에 우수기술로 선정된 반도체 공정기술을 보다 업그레이드하여 팹리스 등 고객들이 수준 높은 반도체를 적기에 생산할 수 있도록 최선을 다할 것”이라고 강조했다.
동부하이텍 개요
동부하이텍은 고부가가치 특화 제품을 기반으로 세계적인 시스템반도체 전문회사로 성장래 나가고 있다. 동부는 1983년 반도체 웨이퍼를 생산하는 코실을 설립하고, 1992년 반도체 웨이퍼의 소재인 '고순도 다결정 실리콘'을 세계 두 번째로 개발하였다. 이후 반도체 소재분야에서 축적한 기술과 사업경험으로 97년 동부전자를 설립하였다. 2007년 동부하이텍을 출범하여 미래형 첨단 시스템반도체 회사로 성장하기 위한 기반을 마련하였다.
웹사이트: http://www.dongbuhitek.co.kr
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동부하이텍 홍보팀 권기주 팀장 02-3484-2834,011-9040-8767, 이메일 보내기
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2009년 6월 25일 10:24