GIST 학생 유럽반도체 국제학회에서 최우수 학생논문상 단독수상

광주--(뉴스와이어)--광주과기원(GIST, 원장·선우중호) 신소재공학과 반도체집적소자 및 공정연구실(지도교수·황현상) 박사과정에 재학중인 장만(31)학생은 최근 영국 캠브리지 대학 (Cambridge, UK)이 주관한 ‘반도체 절염막 국제학술발표회(Insulating Films On Semiconductor, INFOS)’에서 ’주입된 양과 금속전극에 따른 메모리소자의 전하손실 메카니즘‘이라는 주제의 논문으로 최우수 학생논문상을 수상했다.

INFOS 국제학술발표회는 최근 16회를 맞이한 국제학술대회로 2년마다 유럽 반도체 관련 대학 및 연구소에서 번갈아가며 학술대회를 개최하고 화학, 재료, 물리, 전자 전공의 국제 전문가들이 모여 반도체 미래 기술에 대해 논의하는 학술발표회로 발표된 논문들은 해외과학저널인 ‘엘스비어(Elsevier)’와 연계되어 게재되고 있다.

장만 학생 논문은 기존의 메모리 소자의 전하손실 메카니즘을 주입된 양과 금속전극, 그리고 전기적 스트레스에 따른 에너지 밴드 휨 현상을 이용하여 수식적이고 실험적으로 규명한 논문으로 인정받아 높은 평가를 받았다.

총 80편의 논문이 발표된 이번 학회는 유럽, 일본, 미국, 대만 등 여러 나라 학생들과 경쟁 속에서 심사위원들의 엄격한 평가를 통해 최우수학생논문상 1편 만이 선정되었다.

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