ST마이크로일렉트닉스, 모바일 브로드밴드 호황에 부응하여 차세대 기지국용 솔루션 출시
- 통합 다운 컨버터 및 신디사이저 IC, ST 공정 기술을 활용하여 최적화된 성능 및 유연성과 함께 비용절감 집적도 달성
ST의 새로운 STW82100B 시리즈는 RF 주파수 신디사이저, 다운-컨버터 등과 같은 주요 기지국 기능들을 단일 소자에 통합함으로써, 장비 공급업체가 요구하는 고성능 및 저비용 요건을 충족한다. LTE와 같은 새로운 표준에 대해 제품의 안정성 또한 이미 입증되었다. ST의 고품질 BiCMOS 공정 기술이 적용됨으로써, 높은 수준의 집적도를 실현함으로써 주요 모든 성능 요건을 충족한다. 이러한 첨단 기술 공정으로 구현된 ST의 칩은 주요 기지국 제조업체들을 통해 이미 폭넓게 사용되고 있다.
ST의 네트워킹 및 스토리지 사업부의 마케팅 이사인 플라비오 베네티 (Flavio Benetti)는 “STW82100B는 높은 기술을 요하는 RF 애플리케이션에서 실리콘-게르마늄 (SiGe, silicon-germanium) 통합이 효과적임을 보여주며, ST의 독자적인 BiCMOS 공정 기술의 잠재력을 다시 한번 입증하였다.”면서 “현재 ST는 최대 230GHz FT / 280GHz FMAX까지 동작하는 고속 트랜지스터를 제공하는 BiCMOS 공정 옵션을 통해 광통신 애플리케이션 등과 같은 다양한 시장에서도 성공적으로 제품을 공급하고 있다.”고 말했다.
STW82100B 시리즈 (제품명 STW82100B, STW82101B, STW82102B, STW82103B)는 기지국과 다양한 무선 애플리케이션에 세계적으로 널리 사용되고 있는 ST의 검증된 주파수 신디사이저 IC (STW81102)에 기반하고 있다. STW81102는 다양한 동작 모드를 지원함으로써 설계자들에게 유연성을 제공한다. 수신기 영역에서 사용될 경우, 각 안테나 경로에 대한 전용 LO (Local Oscillator) 주파수 생성기를 제공할 수 있도록 설정될 수 있으며, 또는 보다 전통적인 안테나-다이버시티 (antenna-diversity) 구조에서도 사용될 수 있다. 트랜스미터 루프백 회로의 경우, 설계자들은 이 제품의 탁월한 이득 평탄도, 그리고 최적의 신호 수준 보정을 위해 외부 PIN 다이오드를 구동할 수 있는 통합 10비트 DAC를 활용할 수 있다.
<TW82100B의 주요 특징>
- 높은 입력 선형성
- 8dB 변환 이득
- 10.5dB 잡음 지수
- 탁월한 ‘스퓨리우스 (spurious) 성능’
STW82100B는 현재 VQFPN 7mm x 7mm 패키지로 양산되고 있으며, 1,000개 공급 물량 기준으로 개당 가격은 약 6.00달러이다. 대규모 공급물량에 대해서는 가격 조정이 가능하다. 평가 키트도 곧 제공될 예정이다.
ST마이크로일렉트로닉스 개요
ST마이크로일렉트로닉스는 혁신적인 반도체 솔루션을 다양한 전자 애플리케이션 분야의 고객들에게 제공하고 있는 세계적인 선도업체이다. ST는 자사의 방대한 기술, 설계 전문기술 및 IP 포트폴리오 통합, 전략적 협력업체와 강력한 제조시설 등을 활용하여 멀티미디어 컨버전스 및 전력 애플리케이션 분야에서 명실상부한 선도업체가 되는 것을 목표로 하고 있다. ST의 2010년도 매출은 103억 5,000만 달러이다. ST에 대한 보다 상세한 정보는 www.st.com를 참조하라.
웹사이트: http://www.st.com
연락처
ST마이크로일렉트로닉스
이정호 차장
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이 보도자료는 ST마이크로일렉트로닉스가(이) 작성해 뉴스와이어 서비스를 통해 배포한 뉴스입니다.
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2012년 1월 26일 13:19