ST마이크로일렉트로닉스, 방송 및 의료 영상 장비 수명을 연장하는 혁신적 RF 전력 MOSFET 출시

- 새로운 RF 전력 MOSFET 제품군, 업계에서 제일 강력한 실리콘을 열효율성 높은 패키지로 집적함으로써 신뢰성과 성능 향상

뉴스 제공

2011-05-20 10:58

서울--(뉴스와이어)--세계 선도적인 종합 반도체사이자 전력용 반도체의 세계 선두주자인 ST마이크로일렉트로닉스 (www.st.com)는 최신 고주파 전력 트랜지스터를 출시하였다. 이 신제품은 의료용 스캐너나 플라즈마 발생기 등의 고전력 무선 주파수 장비들이 가동 시간과 성능을 향상시키고 비용을 절약할 수 있도록 지원한다.

ST의 최신 RF 전력 MOSFET는 ST의 업그레이드된 공정 기술을 적용하여 최대 200V에 이르는 피크 전압을 견딜 수 있게 되었다. 이는 경쟁 제품 보다 최소 20% 높은 수준이다. 이와 같이 견고성이 향상됨으로써 전력 트랜지스터의 작동 수명을 연장할 수 있게 되었고 장비 중단 시간과 유지비용을 줄일 수 있게 되었다. 또한 첨단 공정 기술을 적용하여 MOSFET의 이득, 효율, 고전력 특성을 향상시킴으로써, 장비 성능을 향상시키고 설계를 간소화할 수 있게 되었다.

신제품 RF 전력 MOSFET는 최신 밀봉 세라믹 패키지와 STAC® (ST Air Cavity) 패키지 기술을 이용함으로써 다이로부터 열 에너지를 빠르게 제거함으로써 신뢰성을 향상시킨다. 이를 통하여 장비 유지비용도 절약할 수 있다.

SD4931과 SD4933은 최대 250MHz에 이르는 50V DC 대신호 애플리케이션에 이용할 수 있는 150W 및 300W N-채널 RF 전력 MOSFET이다. SD4931과 SD4933은 ST의 향상된 수직 실리콘 공정 기술의 이점을 적용하여 “bolt-down” 탑재가 가능하도록 테두리가 있는 밀봉 세라믹 패키지로 제공된다.

STAC4932B와 STAC4932F는 ST의 STAC 패키지를 활용하여 “bolt-down” 및 "flangeless (테두리 없는)” 버전으로 공급되며, 레이저 구동이나 MRI (medical resonance imaging) 같이 전력 정격이 1000W 이상에 달하는 100V 펄스 애플리케이션에 이상적이다. STAC 패키지는 열 베이스를 이용해서 히트싱크로 직접 솔더링이 가능하므로 높은 열 및 전기적 효율을 달성함으로써 MOSFET가 고주파로 높은 신호 전력을 발생시킬 수 있으며 전체적인 작동 수명에 걸쳐서 신뢰성을 극대화한다.

주요 특징:
- 항복 전압 (V(BR)DSS) 200V 이상
- 최대 접합부 동작 온도 200C
- 모든 위상으로 20:1의 부하 불일치 가능 (SD4931/4933)
- 출력 전력 (POUT):
- 175MHz로 14.8dB 이득일 때 최소 150W (SD4931)
- 30MHz로 24dB 이득일 때 최소 300W (SD4933)
- 123MHz로 26dB 이득일 때 최소 1000W (1200W 정격) (STAC4932B/F)

세라믹 패키지 디바이스 제품들은 현재 양산 중이며 개당 가격은 1천 개 수량일 때 SD4931이 43.65달러이고 SD4933이 77.60달러이다. STAC 패키지인 STAC4932B (현재 양산) 및 STAC4932F (2011년 6월 양산) 제품은 개당 가격이 67.90달러이다. 이보다 대량 수량일 때는 추가적인 가격 옵션이 가능하다.

기타 자세한 정보는 웹사이트 www.st.com/rf에서 확인할 수 있다.

ST마이크로일렉트로닉스 개요
ST마이크로일렉트로닉스는 혁신적인 반도체 솔루션을 다양한 전자 애플리케이션 분야의 고객들에게 제공하고 있는 세계적인 선도업체이다. ST는 자사의 방대한 기술, 설계 전문기술 및 IP 포트폴리오 통합, 전략적 협력업체와 강력한 제조시설 등을 활용하여 멀티미디어 컨버전스 및 전력 애플리케이션 분야에서 명실상부한 선도업체가 되는 것을 목표로 하고 있다. ST의 2010년도 매출은 103억 5,000만 달러이다. ST에 대한 보다 상세한 정보는 www.st.com를 참조하라.

웹사이트: http://www.st.com