RFaxis, IWPC 컨퍼런스에서 28nm CMOS All-in-One Multi-Band/Multi-Mode Nano-RFeIC(TM) 공개

- Rfaxis는 자사의 특허 출원 중인 아키텍처를 활용하여 무선 커넥티비티와 모빌리티 장치를 위한 완전한 RF 프론트엔드 통합의 ‘결정판’을 가능하게 한다

뉴스 제공
RFaxis
2011-06-23 08:54
어바인 캘리포니아주--(뉴스와이어)--무선 커넥티비티와 셀룰라 모빌리티 시장을 위한 혁신적인 차세대 RF 솔루션에 중점을 두는 팹리스 반도체 기업인 RFaxis가 Intel Mobile Communications 그룹이 주최한 차세대 모바일 장치 플랫폼 아키텍처에 대한 IWPC 컨퍼런스에서 자사의 신제품 28nm CMOS 실리콘 멀티-밴드/멀티-모드 RF 프론트-엔드 통합 회로 (RFeIC™) 를 공개했다. 상표명이 Nano-RFeIC™ 인 이 새로운 DSM(deep submicron) 노드 제품은 프로세스 지오매트리 애그노스틱(process geometry agnostic)이며, 따라서 32nm, 40/45nm, 55/65nm은 물론 상업적으로 이용 가능한 서브마이크론 CMOS 노드로 구현 및 제조가 가능하다.

COO인 Hal Hikita는 “Berkana Wireless(Qualcomm이 인수)는 라디오와 베이스밴드 기능을 모놀리식 CMOS 실리콘 다이에 통합하는 것은 소위 통합의 결정판(Holy Grail)이라고 주장했다. 안타깝게도, 무어의 법칙으로 디지털 컴포넌트 설계가 더욱 더 작은 프로세스 기하학으로 촉진되었으나, 이로 인해 트랜시버와 베이스밴드를 이용하는 통합형 RF 컴포넌트의 장치에는 명백하게 존재하는 문제를 유발한다. 따라서 분명하게 다른 차원의 혁신적인 RF 접근이 필요하다”라고 말했다.

RFaxis의 CTO인 Dr. Oleksandr Gorbachov는 계속해서 “Hal이 주장하는 바의 요지는 RFaxis가 독립형 컴패니언 RFeIC™ 칩에 전체적이면서 확장가능한 RF 접근 또는 트랜시버와 베이스밴드를 이용하는 전략적으로 완전한 RF 프론트-엔드 통합을 제공한다는 점이다. 특히, RFaxis는 사전 왜곡 회로에 대한 니즈를 제외하고, 파괴전압(break-down voltage)를 회피하고 진정한 선형 앰플리케이션 기능성을 생성한다. 당사의 새로운 28nm Nano-RFeIC™은 WLAN과 블루투스 동시 작동을 지원하기 위해 2.4GHz 및 5.0GHz 주파수 대역용으로 설계되어 있다. 이 단일 칩/단일 다이 Nano-RFeIC™은 송신 작동을 위한 첨단 EVM 전력, 고수신 민감성을 위한 저소음 증폭기 (LNA), 스위칭 회로(switching circuitry) (TX/RX, 모드 및 대역 전환, 등), 전력 탐지, 진정한 방향성 디커플러, 공존 및 조화 필터, 저항 일치 및 CMOS 로직 제어 회로 등을 제공한다”라고 말했다.

RFaxis의 회장이자 CEO인 Mike Neshat은 “광범위한 애플리케이션에 RFeICs™을 제공함으로써 당사의 실리콘 혁신의 입증된 다양성을 성공적으로 구현함으로써, 우리는 당사의 RFeICs™을 나노-스케일 프로세스 노드에 손쉽게 포팅할 수 있다. 당사는 28nm CMOS 프로세스 노드를 선택함으로써, 에코시스템이 현재의 RF 문제점을 해결하고 스마트폰, 태블릿 PC, 모바일 인터넷 장치(MID)와 같이 초저전력 모바일 장치를 비롯하여 컨슈머 프리마이즈 장비(CPE)와 같은 서버 사이드 장치의 새로운 세대로 인도할 수 있도록 지원한다. RF 프론트-엔드 게임의 고수익 사업 전환을 가속화함에 따라, RF와 디지털 혁신의 동기화에 영향을 주는 장벽을 제거하고 있다. 오늘날 당사의 제품이 이미 시스템-인-패키지(SiP) 기업의 수요를 이미 충족하기 때문에, 당사의 Nano-RFeIC™ 제품은 또한 SiP 플레이어를 만족시킬 것이다. 또한, 당사의 Nano-RFeIC™ 제품은 시스템-온-칩(SoC) 기업을 위해 RF 갭을 완전하게 연결하고 있다. 2011년 4분기에 당사의 전략 파트너와 함께 Nano-RFeIC™ 을 시연할 예정이다”라고 결론 내렸다.

나노-스케일 CMOS 기술의 RF 프론트-엔드 통합의 문제, 그리고 RFaxis가 발전을 어떻게 가능하게 하는 지에 대한 더욱 자세한 정보를 보려면, www.rfaxis.com/downloads에서 RFaxis의 최신 백서 ‘무선통신을 위한 나노-스케일 CMOS 에서의 RF 프론트-엔드 통합의 문제와 발전’을 참조하면 된다.

RFaxis, Inc. 관련 정보

캘리포니아 어바인에 기반을 두고 있는 RFaxis, Inc.는 RF 반도체와 내장형 안테나 솔루션 설계 및 개발 전문 기업이다. 특허출원중인 기술을 보유하고 있는 이 기업은 수십억 달러 규모의WLAN, 802.11n/MIMO, ZigBee, WiMAX, 블루투스, 무선 동영상, 휴대폰 시장을 위해 설계된 차세대 무선 솔루션을 선도하고 있다. 자체의 혁신적인 접근방식 및 회로 설계와 연계한CMOS 실리콘 기술을 활용하여 RFaxis는 세계 최초로 RF 전단 통합회로Front-end Integrated Circuit (RFeIC)를 개발했다. 더 자세한 내용은 www.rfaxis.com에서 확인할 수 있다.

RFaxis 개요
2008년 1월에 설립된 RFaxis, Inc. 는 캘리포니아주 어바인에 본사가 있으며 RF 반도체 및 안테나 솔루션의 설계와 개발 업체이다.

웹사이트: http://www.rfaxis.com

연락처

Dani Vattuone
RFaxis, Inc.
+1 949-202-5653
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