MOSAID, 업계에서 가장 빠른 플래시 메모리 기기 발표

- HLNAND2, DDR(Double Data Rate) 800 성능을 달성하다

뉴스 제공

2011-11-03 16:48

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오타와 온타리오--(뉴스와이어)--MOSAID Technologies Inc. (TSX: MSD)는 업계에서 가장 빠른 NAND 플래시 메모리 반도체 기기를 샘플링하고 있다고 발표했다. MOSAID의 256Gb HLNAND™2 (HyperLink NAND) 기기는 채널 당 최대 800MB/s으로 동작하여, 시판되고 있는 여느 NAND 플래시 기기보다 속도가 2배 빠르다. 기업 데이터 센터 및 고성능 계산 애플리케이션과 같은 대량 보관 애플리케이션을 대상으로 하는, MOSAID의 HLNAND2로 제품 설계자는 SSD를 초당 기가바이트 성능 및 테라바이트급 저장 용량으로 구축할 수 있게 되었다.

MOSAID의 김진기 R&D 부사장은 “DDR800 성능을 제공하는 NAND 플래시 기기를 생산하는 최초의 기업이 된 점을 매우 기쁘게 생각한다. 256Gb HLNAND2기기는 고성능과 확장성을 필요로 하는 광범위한 종류의 플래시 스토리지 애플리케이션에 최적화되어 있다. 우리는 HLNAND2가 고성능 및 메모리 용량 모두를 필요로 하는 플래시 스토리지 애플리케이션에 대한 업계에서 가장 비용 효율적인 솔루션을 제공하고 있다”라고 말했다.

MOSAID의 HLNAND 플래시 메모리 사양 2는 초당 다중 기가 바이트 범위의 데이터 전송 속도로 SSDs 개발을 촉진하며 고속, 포인트 투 포인트 링 기술을 사용하고 있다. 채널 당 800MB/s과 DuplexRW™이 있는 경우 채널 당 1600MB/s의 원 데이터 속도로 HLNAND2는 호스트 인테페이스 상에서 1 GB/s 이상의 데이터 전송 속도 도달하기 위해 단지 1개의 메모리 채널만이 요구한다. 이에 반해 평형 버스 구조에 기반한 NAND 플래시 인터페이스는 200 ~ 400MB/s의 전송 속도로 제한되며 각 채널 상에 소수의 기기 만이 지원된다.

“HLNAND의 포인트 투 포인트 인터페이스는 줄어든 로우딩과 데이터 속도를 줄이지 않고 테라바이트급 용량을 지닌 SSDs의 구축을 허용함으로써 매우 깨끗한 신호 환경을 구현한다. HLNAND의 링 위상 기하학은 평형 버스 플래시의 변종을 억제하는 많은 전력이 소모되는 온 다이 터미네이션에 대한 필요성을 없애준다.”고 김 부사장은 말했다.

HLNAND2는 8비트의 동기식 DDR 데이터를 보유하지만, 소스 동기식 클락을 활용하며, 따라서 최대 800MB/s 의 처리량을 전달하기 위해 최고 400MHz 의 운용이 가능하다. 다른 특징은 다음과 같다:

- 플래시 인터페이스 속도는 PCI 익스프레스 2세대와 3세대와 같은 고속 시스템 인터커넥트와 거의 일치한다.
- DuplexRW™: DDR800 동시 읽기 및 쓰기, 효과적인 1600MB/s 데이터 처리랑, PCIe 듀플렉싱 기능에 적합
- 자동 팩킷 끊기 truncation 에 의한 전력 절감
- 팩킷 프로토콜 통신 내 최고의 신뢰성을 위한 ‘명령어 팩킷’ 내 내장형 EDC (오류 검출 코드)

HLNAND2 전체 사양서는 www.hlnand.com

256Gb HLNAND2 (DDR533/DDR667/DDR800)에서 다운로드 받을 수 있다.

HLNAND2 플래시 메모리 기기는 9개의 die stack과 8개의 산업표준 NAND 플래시 dies, 1 개의 MOSAID 특허제품 ASIC 인터페이스 칩으로 구성된 MCP (multi-chip package)이다. MCP는 18mm x 14mm 크기의 100-ball BGA (ball grid array)로 포장된다.

이 설계는 모놀리식32nm/2xnm 토글 모드 또는 네 개의 뱅크에 고르게 분포되어 있는 레거시 비동기NAND 플래시 칩을 지원한다. 인터페이스 칩에는 외부 고속 HyperLink 인터페이스가 들어 있으며 각 플래시 뱅크를 자동으로 또한 상호 독립적으로 제어한다. EDC 기능은 명령어 팩킷에서 발생하는 오류를 제거하여 신뢰성을 주고, 명령어와 등록 데이터의 오류 없는 통신을 가능하게 해준다. 이 기기는 2048B와 4096B, 8192B의 페이지 수준 선택과 추가 바이트를 포함한 전체 페이지로 사용자에게 설정이 가능한 가상 페이지와 읽기 기능을 제공한다.

제품 가용성

MOSAID는 또한 Winpac Inc.와 향후 5년 간 제조 라이선스 계약을 체결하였다고 오늘 발표했다. Winpac은 256Gb HLNAND2 (DDR533/DDR667/DDR800)와 2011년 7월 발표된 생산 준비가 완료된256Gb HLNAND (DDR266)를 포함하여 완제품 HLNAND 기기를 포장, 배급하는 업무를 맡게 될 것이다.

NVRAMOS11참가예정인 MOSAID

MOSAID는 2011년 11월 7일~10일 대한민국 제주에서 개최되는 차세대 대용량 비휘발성 랜덤 액세스 메모리(NVRAMOS11) 운영 시스템 지원 부문에서HLNAND 기술을 선보이며, 관련 논문을 발표할 계획이다.

HyperLink (HL) NAND Flash 관련 정보

HLNAND Flash는 업계에서 가장 앞선 기능을 전달하고 기존 플래시보다 10배 이상의 일관된 I/O 대역폭에 도달하기 위해MOSAID의 자체 HyperLink 메모리 기술을 산업표준 NAND 플래시 셀 기술에 결합시킨 고성능 솔루션이다. 자세한 내용은 www.hlnand.com에서 확인할 수 있다.

MOSAID 관련 정보

MOSAID Technologies Inc.는 세계적인 선두 지적 재산권 회사 중 하나이다. MOSAID 는 반도체와 통신 시스템 분야에서 특허 지적 재산권의 라이선스를 제공하고 있으며, 반도체 메모리 기술을 개발하고 있다. MOSAID는 세계 최대의 기술 기업 중 다수에 라이선스를 제공하고 있다. 1975년 설립된 MOSAID는 온타리오 주 오타와에 소재하고 있다. 자세한 내용은 www.mosaid.com 과 http://investorchannel.mosaid.com에서 확인할 수 있다.

Winpac 관련 정보

Winpac은 반도체 패키징과 기기 테스팅에 중점을 둔다. 2002년에 설립된 Winpac은 FBGA(Fine pitch Ball Grid Array) 패키징과 WLP(Wafer Level Packaging) 방법에 전문화되어 있다. Winpac은 한국 경기도에 제조시설을 유지하고 있으며 캘리포니아 산호세에서 영업 및 마케팅 기능을 담당한다. 더 자세한 내용은 www.winpac.co.kr에서 확인할 수 있다.

웹사이트: http://www.mosaid.com