스팬션, 90nm 미러비트 기술 기반 고집적 플래시 메모리 솔루션 시연
스팬션은 텍사스 오스틴 Fab 25 공장에서 90nm 미러비트 기술을 통해 스팬션의 고집적 플래시 메모리 로드맵을 제시해 미러비트 기술이 집적도를 비롯해 성능, 안정성, 비용 측면에서 휴대폰 및 임베디드 애플리케이션을 위한 가장 이상적인 기술임을 재확인했다.
스팬션의 CEO인 버트란 캠보우 박사는”90nm 기반의 미러비트 기술은 플래시 메모리시장에 변화를 가져올 것이다”라며 “고객들은 코드 실행을 위한 노어 아키텍쳐를 안정성과 읽기 속도, 사용 편의성 측면에서 더 선호하고 있는 상황에서 미러비트 기술이 노어와 오어낸드 아카텍쳐 모두에서 90nm까지 확장되었다는 것은 미러비트 기술이 주는 코드 실행의 장점을 이용하면서 동시에 무선과 임베디드 기기에서 데이터 저장에까지 미러비트 기술을 확장해서 사용할 수 있음을 의미한다”라고 밝혔다.
특히, 스팬션은 데이터 스토리지를 위한 90nm 미러비트 기반의 1Gb 오어낸드 플래시를 사용한 핸드폰 애플리케이션을 시연해 큰 관심을 모았다. 스팬션은 코드 스토리지를 위한 스팬션 노어 플래시와 데이터 스토리지를 위한 1Gb 미러비트 오어낸드 플래시를 사용한 핸드폰을 활용해 음성 통화 및 비디오 상연/저장을 시연했다. 이번 시연은 스팬션 제품의 읽기 성능이 한층 더 향상되었음을 입증했으며 동시에 빠른 전원 부팅과 비디오 상연에도 뛰어남을 보여주었다.
플래시 메모리이의 읽기 속도는 사용자들이 핸드폰 전원을 켜는데 걸리는 시간, 게임 같은 애플리케이션 작동, 비디오 및 음악 등의 주요 컨텐츠에 접근하는데도 영향을 준다. 향상된 읽기 성능은 사용자들이 멀티미디어 컨텐츠를 핸드폰에서 사용하기 더욱 용이하게 할 것이다.
또한, 90nm 미러비트의 경우 기존에 노어 혹은 낸드가 제공하던 코드와 데이터 저장을 모두 지원한다. 스팬션은 싱글 칩 1Gb 노어 디바이스를 최초로 시연함으로써 업계최고의 고집적도로 선보였으며, 이는 향상된 읽기 기능과 높은 집적도로 코드와 데이터 저장을 원활하게 해 임베디드 애플리케이션이 요구하는 사항을 더 잘 충족시킬 수 있도록 한다.
또한, 스팬션은 90nm 미러비트 관련 자세한 제품 로드랩을 제시했다. 스팬션은 올해 발표하게 될 노어와 오어낸드 아키텍쳐를 위한 1Gb 플래시 메모리를 포함해 2Gb 집적도의 오어낸드 디바이스를 내년에 발표할 것이라고 밝혔다. 아울러 휴대폰 시장을 겨냥한 고성능의 1.8볼트 512Mb 노어 디바이스를 2006년 초에 제공할 것이라고 밝혔으며, 2006년부터 65nm 미러비트 기술을 기반으로 한 제품 생산을 계획하고 있다고 덧붙였다.
스팬션 개요
Spansion(NYSE: CODE)은 플래시 메모리 기반의 임베디드 시스템 솔루션 분야에서 글로벌 리더이다. Spansion의 플래시 메모리, 마이크로 컨트롤러, 혼합 신호 및 아날로그 제품들은 더욱 빠르고 지능적이며 안전하고 에너지 효율적인 전자 기술의 발전을 주도하고 있다. Spansion은 자동차 전자 및 산업 시스템에서부터 사람들의 일상 생활을 풍요롭게 하는 고도의 상호 작용 및 소비자 가전에 이르기까지 모든 것을 연결하고 제어하며 저장하고 동력을 공급하는 전자 시스템의 중심부에 있다. 스팬션에 대한 더 많은 정보는 http://www.spansion.com를 참조하면 된다.
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2013년 8월 19일 09:48