TI, 600V GaN FET 전력 스테이지 디바이스 출시로 고성능 전력 변환의 혁신 제공
TI가 최초로 개발한 통합 고전압 GaN FET 및 드라이버 솔루션의 샘플 공개
2배 향상된 전력밀도 및 절반으로 절감된 전력 손실
TI가 600V 질화갈륨 70mΩ FET 전력 스테이지 엔지니어링 샘플을 제공한다
TI의 고전압 전원 솔루션 사업부 부사장 스티브 램부스(Steve Lambouses)는 “300만 시간 이상의 신뢰성 테스트를 거친 LMG3410은 전력 설계자들에게 GaN의 신뢰성에 확신을 줄 수 있으며, 이전에 생각할 수 없었던 방식의 전력 아키텍처 및 시스템 설계의 발판이 마련 될 것이다.”라고 말하며, “TI의 널리 알려진 제조 역량과 축적된 파워 시스템 설계 전문성을 바탕으로 한 이 새로운 전력 스테이지 솔루션은 GaN 시장에서의 중요한 진전이다.”라고 덧붙였다.
LMG3410은 내장된 드라이버와 제로 리버스 리커버리 전류 구현과 같은 특성 구현을 통해, 스위칭 손실을 최대 80%까지 크게 절감할 수 있어 하드 스위칭 애플리케이션에서 신뢰할만한 성능을 제공한다. 독립형 GaN FET과 달리 사용하기 쉬운 LMG3410은 온도, 전류 및 UVLO(Under Voltage Lock Out)와 같은 보호기능이 내장되어 있는 기능형 디바이스이다.
◇검증된 제조 및 패키징 전문성
LMG3410은 TI 최초로 GaN FET을 사용한 반도체 IC이다. TI는 제조 및 공정 기술에 있어서 수십 년 동안 축적된 기술을 바탕으로GaN 디바이스를 제조하고 까다롭게 요구되는 분야에도 사용할 수 있도록 GaN의 신뢰성 및 견고성에 대한 확신을 주기 위해JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council) 표준 이상 수준의 품질을 확보하여 제공한다. 또한 사용하기 쉬운 패키징 제공으로 PFC(power factor controller) AC/DC 컨버터, 고전압 DC 버스 컨버터 및 광전지(PV) 인버터와 같은 애플리케이션에서의 GaN 전원 설계 도입을 증가시킬 예정이다.
◇LMG3410의 주요 기능 및 장점
- 전력 밀도의 2배 향상: 600V 전력 스테이지 디바이스는 최신 실리콘 기반 Boost 형태 PFC(power-factor converters)와 비교해서 이 GaN FET를 적용한 토템폴(totem-pole) PFC구현시 전력 손실을 50% 절감한다. 이로써 BOM(bill of materials)을 줄이고 더 높은 효율을 달성하므로 전원 공급 장치의 크기를 최대 50%까지 소형화할 수 있다.
- 패키징 기생 인덕턴스 감소: 이 새로운 디바이스의 8mm x 8mm QFN(quad flat no-lead) 패키지는 개별 GaN 솔루션 보다 전력 손실, 부품 전압 스트레스 및 EMI(electromagnetic interference)를 낮춘다.
- 새로운 토폴로지 지원: GaN의 제로 리버스 리커버리 충전 특성은 토템폴 PFC와 LLC 토폴로지와 같은 새로운 스위칭 토폴로지로 전력 밀도 및 효율을 높인다.
◇GaN 에코시스템 확장
TI는 전원 설계시 GaN 기술을 활용하려고 하는 개발자들을 지원하고 GaN 에코시스템을 확장할수 있는 신제품들을 제공한다. LMG5200POLEVM-10은 48V~1V POL(point-of-load) 평가 모듈로서, 새로운 TPS53632G GaN FET 컨트롤러 및 80V LMG5200 GaN FET 전력 스테이지를 포함한다. 이 솔루션을 사용함으로써 산업용, 통신 및 데이터통신 애플리케이션에서 최대 92%에 이르는 효율을 달성할 수 있다.
◇공급 및 가격
TI는 하프브리지 도터카드 및 LMG3410 IC 샘플 4개를 포함한 개발 키트를 제공할 예정이다. 또한 두 번째 키트에서는 시스템 레벨 평가 마더보드를 제공한다. 이 두 키트를 함께 사용함으로써 신속한 벤치 테스트 및 설계를 할 수 있다. 이들의 개발 키트는 현재 TI store에서 구입할 수 있으며 가격은 각각 299달러 및 199달러이다.
◇보다 자세한 정보:
- TI의 GaN 솔루션 포트폴리오(http://goo.gl/wavjSD)
- 디지털 파워 변환 컨트롤러를 사용해 GaN에 대한 이해 높이기(http://goo.gl/MUeq6W)
- 관련 백서:
: 드라이버를 통합한 GaN의 성능 극대화(http://goo.gl/wavjSD)
: GaN FET 기반 CCM 토템폴 브리지리스 PFC(https://goo.gl/YnbL4K)
- 파워 하우스 블로그: “GaN으로 신뢰성 달성하기(https://goo.gl/Z38n2M)” 및 GaN 관련 기사 살펴보기(http://goo.gl/N9M6tD)
- TI E2E™ 커뮤니티의 질화갈륨(GaN) 솔루션 포럼에서 솔루션 검색, 동료 엔지니어 및 TI 전문가들로부터 도움말을 얻고, 지식 공유 및 문제 해결(https://goo.gl/5pcWi7)
웹사이트: http://www.tikorea.co.kr
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