Sanan IC, 6인치 SiC 웨이퍼 파운드리 공정 상용화 발표
세계 시장에 첨단 소재 제조 능력을 제공하는 데 역량을 집중하고 있는 Sanan IC는 이제 SiC 기술을 설계용으로 업계에서 완성도 높은 수준에 이른 WBG(와이드 밴드 갭) 반도체로 떠 오른 소재다. Sanan IC는 갈륨비소(GaAs), 질화갈륨(GaN) 및 인화인듐(InP)과 같은 III-V 화합물 제조 외에도 6인치 SiC 에피텍셜 웨이퍼 제조 및 웨이퍼 공정 전문적서비스를 제공한다.
Sanan IC의 레이먼드 카이(Raymond Cai) CEO는 “이제 SiC를 더하여 웨이퍼 파운드리 서비스를 확장하고 이 서비스를 전 세계 와이드 밴드 갭 반도체 시장에 상용화하여 제공할 수 있게 되어 매우 기쁘다”며 “높은 효율, 스위칭 주파수, 고온 특성으로 SiC가 실리콘 솔루션을 대체함으로써 고성장할 이 분야에 엄청난 사업 기회가 있다고 믿는다”고 밝혔다.
또한 카이 CEO는 “자동차, 빅데이터, 재생 가능 청정 에너지 및 전력 유틸리티 산업의 엄청난 성장 덕분에 SiC 파운드리 공정 기술를 전 세계 시장에 제공할 기회가 창출되었다”며 “우리의 최첨단 제조 공정은 SiC의 첨단 능력을 보유하여 강력한 공급 기반을 가지고, 업계 베테랑으로 구성된 글로벌 팀을 보유한 Sanan IC는 이상적인 파운드리 파트너가 될 것”이라고 덧붙였다.
Sanan IC의 SiC 공정 기술은 650V, 1200V 및 더 높은 등급의 SBD(쇼트키 배리어 다이오드)를 위한 장치 구조를 제공하며 이어 900V 및 1200V 이상 등급의 SiC MOSFET 공정 기술도 곧 제공할 계획이다. SiC SBD와 SiC MOSFET 기술은 650V 이상의 전력변환 애플리케이션에 사용되는 기술로 떠오르고 있다. 실리콘 대비 SIC의 높고 강력한 효율, 전력 밀도, 스위칭 주파수, 브레이크다운 특성, 더 작고 가벼운 시스템 설계가 제시하는 이점을 고려하여 여러 애플리케이션이 이 기술을 채택하기 시작했다.
SiC기반 기술을 채택한 태양광 발전소, 산업용 모터 드라이브, 기업 서버 및 셀룰러 기지국 전원 공급 장치의 PFC(역률 교정) 부문 등은 소비와 산업시장으로 빠르게 확산되고 있다. 전기차(EV)와 하이브리드차(HEV) 업계에서는 이미 차량 탑재 충전기(OBC), 동력전달장치 인버터, DC/DC 변환기 등에 SiC를 널리 사용하고 있다. Yole Group의 계열사이자 기술 시장의 선도적 리서치 기업 Développement(Yole)에 따르면 SiC 동력 장치 반도체 시장은 2023년까지 1.5조 달러 규모로 성장할 것이며 2017년부터 2023년까지 31%의 연평균성장률(CAGR)을 기록할 것으로 예상된다*. Sanan IC는 고객의 품질, 물량, 증산 및 신뢰성 요건에 부합할 만반의 준비를 갖췄다.
*출처: Power SiC 2018: 소재, 장치 및 애플리케이션 보고서, Yole Développement(Yole), 2018. 7
Sanan IC 개요
Sanan Integrated Circuit Co., Ltd.(Sanan IC)는 중국 최초의 6인치 복합 반도체 웨이퍼 파운드리로서 마이크로전자공학 및 광자공학 시장에 제품을 공급하고 있다. 2014년에 설립된 Sanan IC는 푸젠성 샤먼시에 본사를 두고 있으며 Sanan Optoelectronics Co., Ltd.(SSE: 600703)의 자회사다. 최첨단 III-V 반도체 제조 설비로 GaAs, GaN, SiC, 및 InP를 개발하고 파운드리 서비스를 공급하고 있다. Sanan IC는 세계 RF, 밀리미터파, 필터, 전력 전자, 광통신 시장에 자사의 첨단 공정 기술 플랫폼을 제공하며 ISO9001 국제품질표준 및 ISO14001 환경관리표준 인증을 획득하였다. Sanan IC는 화합물 반도체의 혁신에 전념하는 기업이다.
웹사이트: http://www.sanan-ic.com/en.
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