Sanan IC, 5G용 GaAs MMIC 설계 서비스 파트너로 Plextek RFI 지정
Plextek RFI, Sanan IC의 P15EP1 GaAs 기술에 대한 5G 밀리미터파 PA 레퍼런스 디자인 시연
신흥 5G 시장에서 비소(GaAs) 단일체의 마이크로파 집적회로(MMIC) 설계 서비스하는 이 협력의 효과는 Sanan IC의 P15EP1 0.15µm 6”GaAs E / D pHEMT 공정 기술을 사용하여 28GHz 스펙트럼을위한 단일칩 표면 실장 패키지 4 채널 5G 밀리미터파 전력 증폭기 (PA)의 Plextek RFI가 최근에 설계 한 것으로 입증되었다. Plextek RFI는 최근 영국 베드포드셔에서 열린 ARMMS (Automated RF and Microwave Measurement Society) 컨퍼런스에서 레퍼런스 디자인을 전시하고 발표했다.
레이먼드 카이(Raymond Cai) Sanan IC CEO는 “5G 인프라 시장이 6GHz 이하에서 밀리미터파 스펙트럼으로 확대됨에 따라 관련 통신 장비에 대한 RF 프론트 엔드 설계 활동이 자연스럽게 증가하고 있다”며 “Plextek RFI를 공인 설계하는 또 하나의 서비스 파트너로 하여 전 세계 고객이 RF 엔지니어링 전문 지식으로 GaAs IC 설계 및 개발 리소스를 보강할 수 있도록 지원한다. 우리는 새로 출시된 P15EP1 E / D pHEMT GaAs 공정이 고성능 밀리미터파 응용 분야, 특히 5G 공간에서 널리 채택될 것으로 기대한다”고 밝혔다.
리엄 데블린(Liam Devlin) Plextek RFI CEO는 “5G 인프라의 롤아웃은 고성능 GaAs IC 설계를 요구하는 다양한 밀리미터파 RF 프런트엔드 아키텍처 및 토폴로지에 대한 수요를 발생시켰다”며 “Sanan IC의 GaAs 기술로서, 소형 다중 채널 전력 증폭기 레퍼런스 디자인에서 알 수 있듯이 고객에게 혁신적인 솔루션 및 설계 옵션을 제공하여 이러한 요구 사항을 해결하게 된 것을 기쁘게 생각한다. 우리는 다른 Sanan IC의 GaAs 프로세스를 활용하고 고성능, 고집적 및 고품질 RF 설계를 위한 미래의 로드맵을 활용함으로써 이러한 성공을 거둘 것으로 기대한다”고 말했다.
이 회사의 P15EP1 프로세스는 고성능 6 인치 GaAs pHEMT 기술로, Ft 85GHz, Fmax 155GHz의 E 모드 0.15µm 게이트 길이 트랜지스터와 매우 잘 통합되어 있다. 이 프로세스는 밀리미터파 PA 및 LNA 설계에 이상적이며 탁월한 이득, 저잡음 지수 및 넓은 대역폭을 제공하며 단일 다이 로직 구현을 위해 0.5µm E 모드/D 모드 장치와 결합될 수 있다. 이 기술의 플랫폼은 최대 3 개의 금속 인터커넥트 층을 제공하며, 12 개의 마스크 층과 75μm의 후면 랩핑 두께를 제공한다. P15EP1 프로세스는 P 모드 GaAs 기술의 일부로, D 모드 트랜지스터, 스위치 및 리미터용 PIN 다이오드와 같은 다른 옵션을 제공할 수 있으며 내년 후반에 더 높은 주파수 지원을 위해 더 낮은 프로세스 노드로 확장될 예정이다.
회사의 III-V 반도체 기술 제조 플랫폼에 대한 자세한 내용을 보려면 Sanan IC가 1월 7일부터 10일까지 라스베가스에서 참가하는 CES 2020에서 미팅이 가능하다.
Plextek RFI 개요
Plextek RFI는 RFIC, MMIC 및 마이크로파/mmWave 모듈 설계 및 개발을 전문으로 하는 영국 기반 디자인 하우스다. 이 회사는 베이스 밴드에서 100GHz까지의 주파수에서 100 개가 넘는 맞춤형 IC를 설계했으며, 테스트 계측에서 인프라 장비 및 대용량 소비자 무선 장치에 이르는 광범위한 애플리케이션에 사용된다. 또한 베어 다이 (RFOW) 및 SMT 패키지 구성 요소를 위한 자체 테스트 시설을 갖추고 있다. 이 회사의 마이크로 웨이브 및 mmWave 모듈 개발 활동은 라미네이트 기판의 기존 SMT, HDI (High Density Interconnect), 칩 및 와이어, 박막, 후막 및 LTCC를 포함한 광범위한 기술을 포함한다.
Sanan IC 개요
Sanan Integrated Circuit Co., Ltd. (Sanan IC)는 중국 최초의 6 인치 화합물 반도체 웨이퍼 파운드리로서 전 세계 마이크로 전자 및 광전자 시장에 서비스를 제공한다. 이 회사는 2014년에 설립되었으며 중국 푸젠 성 샤먼시에 본사를 두고 있으며 Sanan Optoelectronics Co., Ltd. (SSE : 600703)의 자회사로 운영되고 있다. 이 회사는 최신 III-V 화합물 반도체 제조 시설을 통해 GaAs, GaN, SiC 및 InP 파운드리 서비스를 개발하고 제공한다. Sanan IC는 ISO9001 국제 품질 표준, ISO14001 환경 관리 표준 및 IATF 16949 : 2016 자동차 품질 관리 시스템 (QMS) 표준으로 인증된 RF, 밀리미터 파, 필터, 전력 전자 및 광통신 시장의 글로벌 커뮤니티에 힘을 다하고 있다. 고급 공정 기술 플랫폼. Sanan IC는 화합물 반도체 혁신을 주도하기 위해 최선을 다하고 있다.