도시바, 업계 최초 2200V 듀얼 실리콘 카바이드 MOSFET 모듈 개발… 산업 장비 효율 증대 및 소형화 기여
MG250YD2YMS3는 드레인-소스 온 전압(센싱)이 대푯값 0.7V[2] 정도로 낮아 전도 손실이 적다. 또한 턴 온 및 턴 오프 스위칭 손실도 각각 대푯값 14mJ[3]과 11mJ[3]로 일반적인 실리콘(Si) IGBT보다 약 90% 낮은 수치[4]를 보였다. 이러한 특성은 장비 효율을 높이는 데 도움을 준다. 또한 낮은 스위칭 손실을 현실화해 기존의 3레벨 회로를 2레벨 회로로 대체할 수 있게 함으로써 장비 소형화에도 기여할 수 있다.
도시바는 계속해서 산업 장비의 효율 증대 및 소형화에 관한 시장의 요구를 충족하는 데에 전념할 계획이다.
주:
[1] 듀얼 SiC MOSFET 모듈 중. 도시바 조사, 2023년 8월 기준.
[2] 테스트 조건: ID=250A, VGS=+20V, Tch=25°C
[3] 테스트 조건: VDD=1100V, ID=250A, Tch=150°C
[4] 도시바가 수행한 2300V Si 모듈과 새로운 SiC MOSFET 모듈 MG250YD2YMS3 간의 스위칭 손실 비교 연구, 2023년 8월 기준(2300V Si 모듈의 성능치는 2023년 3월 이전에 발표된 논문에 기반해 도시바가 추정한 값).
애플리케이션
산업 장비
- 재생 에너지 발전 시스템(태양광 발전 시스템 등)
- 에너지 저장 시스템
- 산업 장비용 모터 제어 장치
- 고주파 DC-DC 컨버터 등
특징
· 낮은 드레인-소스 온 전압(센싱):
VDS(on)sense=0.7V(대푯값)(ID=250A, VGS=+20V, Tch=25°C)
· 낮은 턴-온 스위칭 손실:
Eon=14mJ(대푯값)(VDD=1100V, ID=250A, Tch=150°C)
· 낮은 턴-오프 스위칭 손실:
Eoff=11mJ(대푯값)(VDD=1100V, ID=250A, Tch=150°C)
· 낮은 부유 인덕턴스:
LsPN=12nH(대푯값)
주요 사양
(표의 내용은 pdf 참조. 다운로드: https://bit.ly/3L371NN)
신제품에 대한 자세한 내용은 아래 링크에서 확인할 수 있다.
MG250YD2YMS3 https://bit.ly/47Ukph2
도시바 SiC 파워 디바이스 관련 추가 정보는 아래 링크에서 확인할 수 있다.
SiC 파워 디바이스 https://bit.ly/3u8vXM6
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도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 소개
업계를 선도하는 첨단 반도체 및 저장 솔루션 공급업체인 도시바는 반세기 이상의 경험 및 혁신을 기반으로 고객과 사업 파트너에게 우수한 개별 반도체, 시스템 LSI 및 HDD 제품을 제공한다. 전 세계 여러 곳에서 근무 중인 2만1500명의 임직원은 제품 가치 극대화라는 목표를 공유하며, 고객과의 밀접한 협력을 통해 공동 가치 창출 및 새로운 시장 개척에 힘쓰고 있다. 현재 8000억엔(약 61억달러)에 육박하는 연간 매출을 기록하고 있는 도시바는 모두를 위한 더 나은 미래를 만들고자 전념하고 있다. 자세한 정보는 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html 에서 확인할 수 있다.
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