스팬션, 휴대폰에 최적화된 3V 미러비트 PL-N 신제품 출시

서울--(뉴스와이어)--AMD와 후지쯔의 플래시 메모리 부문 합작법인인 스팬션(Spansion LLC)은 휴대폰 등 최신 무선기기 등에서 필요성이 점차 증대되고 있는 코드 저장 성능에 대한 요구를 충족시키기 위해 설계된 3V(Volt) 전력으로 동작되는 미러비트(MirrorBit) 기술 기반 PL-N 제품군을 발표했다.

시장에서 큰 호응을 얻었던 1.8V 미러비트 플래시 메모리 제품에 이어서 출시된 3V 기반 제품은 256Mb의 용량을 갖추고 있으며, 설계자들이 플로팅 게이트 기술에서 1개의 셀에 2비트의 데이터를 저장할 수 있는 혁신적인 미러비트 기술로 이전할 수 있어 향상된 가격 대비 성능을 제공해줄 것으로 기대되고 있다.

미러비트 PL-N 제품군은 3.0V 전력을 사용하는 각종 무선기기 플랫폼에 최적화된 제품으로, 빠른 액세스 페이지 모드 운영 및 동시 읽기/쓰기 기능을 갖추고 있어 더욱 향상된 플래시 메모리의 성능을 제공한다.

특히 256 Mb 용량의 PL-N 제품은 최신의 고기능 휴대폰 상에서 점차 증가하고 있는 애플리케이션 코드 저장 능력이 탁월한 제품으로서 고해상도 카메라, 비디오, MP3 음악, e 메일, 자바 애플리케이션, 게임 등의 실행 성능을 개선해 준다.

스팬션의 무선 솔루션 부문 부사장인 아미르 마쉬쿠리(Amir Mashkoori )는 “미러비트 PL-N 제품은 업계 최상의 가격대비 성능을 가진 미러비트 기술을 사용, 고성능 사양을 제공해줌으로써 광범위한 휴대폰 제품을 위한 스팬션의 무선 솔루션 제품 라인업을 확장시켜주었다” 라며 “스팬션은 이제 코드 저장 애플리케이션 상에서 필요로 하는 빠른 읽기 속도 및 안정성을 지원할 수 있게 됨은 몰론, 동시에 플로팅 게이트 기술에 비해 보다 가격 효율적인 구조를 제공해 줄 수 있게 됐다.” 라고 말했다.

미러비트 PL-N 노어 플래시 메모리 제품군의 사양 및 장점

스팬션의 PL-N 제품군은3 V 전력으로 작동하며, 스팬션의 플로팅 게이트 제품군과 같은 고성능 사양을 갖추고 있다. 128 Mb 및 256Mb 용량의 제품은 출시가 되었으며 512 Mb 고용량 제품은 다중 칩·패키지(MCP) 형태로 이용 가능하다. 2가지 제품군은 패키지이며, 그리고 핀 아웃 호환으로 미러비트 기술로의 유연한 전환을 가능하게 해준다. 스팬션은 또한 일련의 관련 소프트웨어 드라이버·코드 및 지원을 무료로 제공한다.

미러비트 PL-N 제품군은 25나노초 (25x10-9초) 에 달하는 빠른 페이지 액세스를 갖춘 페이지 모드 운영을 제공하며, 삭제나 프로그래밍 시 지연 없이 읽기를 실행할 수 있도록 설계된 스팬션의 동시 읽기/ 쓰기 기능 성능도 포함되어 있다.

미러비트 PL-N 제품군은 또한 악의적인 공격이나 바이러스 침투로부터 무선 휴대폰을 보호해주는 데 사용되어지는 스팬션의 보안 성능인 ‘향상된 섹터 보호’ (ASP: Advanced Sector Protection) 기술을 갖추어 출시하게 된다.

스팬션 개요
Spansion(NYSE: CODE)은 플래시 메모리 기반의 임베디드 시스템 솔루션 분야에서 글로벌 리더이다. Spansion의 플래시 메모리, 마이크로 컨트롤러, 혼합 신호 및 아날로그 제품들은 더욱 빠르고 지능적이며 안전하고 에너지 효율적인 전자 기술의 발전을 주도하고 있다. Spansion은 자동차 전자 및 산업 시스템에서부터 사람들의 일상 생활을 풍요롭게 하는 고도의 상호 작용 및 소비자 가전에 이르기까지 모든 것을 연결하고 제어하며 저장하고 동력을 공급하는 전자 시스템의 중심부에 있다. 스팬션에 대한 더 많은 정보는 http://www.spansion.com를 참조하면 된다.

웹사이트: http://www.spansion.com

연락처

스팬션코리아 조우영 대리 02-2191-3765
민컴 서영진/조정호 566-8898 011-9497-4812 / 011-9412-1314

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