GT Advanced Technologies, 새로운 실리콘 카바이드 용광로 제품군 도입해 성장 기회 목표로 삼아
SiClone100은 최대 지름 100mm에 달하는 웨이퍼를 완성할 수 있는 고품질의 반도체 벌크 SiC 결정을 생산할 능력을 갖춘 승화 성장 기법을 채택했다. SiClone100의 초기 제품은 자체 핫 존(hot zone)을 개발해 벌크 결정 생산 비결을 갖추고 있으며, 양산 시작을 염두에 두고 있는 고객을 겨냥한 제품이다.
GT의 사장 겸 CEO인 Tom Gutierrez는 “GT의 새로운 SiClone100 용광로는 고전력, 고주파의 고급 기기에서 사용하기 위해 더욱 품질이 높은 SiC 자재가 필요한 파워 일렉트로닉스 산업 분야의 요구사항을 만족시킨다”며 “SiClone100은 앞으로 고객들에게 최대 8in의 SiC 웨이퍼 생산 능력 비결, 핫 존 및 소비재를 비롯하여 전체 생산 환경에 대한 액세스 기능을 제공할 것으로 기대되는 자사의 SiC 제품 로드맵의 초석이 되는 제품이다”고 소개했다.
GT는 결정 성장 기술 분야에 대한 심도 있는 전문지식을 활용하여 “실험실 생산에서 양산으로”의 전환을 고려하는 고객사에 매우 신뢰할만한 입증된 플랫폼을 제공, SiC 결정 양산을 시작할 수 있도록 조력하고 있다.
최첨단 제어 시스템을 갖춘 SiClone100 용광로는 전자공학을 휴먼-머신 인터페이스(HMI) 제어로 통합하여 성장 공정 자동화를 지원한다. SiClone100에서는 핫 존에 쉽게 적재할 수 있는 하부 적재 디자인을 채택했으며 제어 시스템은 사용자가 공정 비결을 맞춤화하고 온도, 프로필, 램프, 가스 흐름과 같은 핵심 생산 매개 변수를 제어할 수 있도록 유연성이 증대됐다.
이러한 유연성을 통해 실행 간 제어 반복성을 개선함으로써 제조 단가를 절감하는 데 도움이 되며, GT의 현장 엔지니어링과 지원으로 고객사는 신속하게 양산을 실현할 수 있다.
GT는 SiC 용광로의 판매가 2013년 매출의 1% 미만일 것으로 예측하고 있으며, 새로운 전력 기기와 관련하여 장기간의 설계 주기를 감안할 때 2014년 이후에는 점진적인 상승세를 나타낼 것으로 전망하고 있다.
웹사이트: http://www.gtat.com/
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Jeff Nestel-Patt
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