GT Advanced Technologies, Kyma Technologies, Inc.의 PVD 기술 라이선스 취득

- 저비용 epi 지원 LED 웨이퍼 생산을 위한 GT의 GaN 기술 솔루션 확대

뉴스 제공
GT Advanced Technologies
2014-02-19 21:00
메리맥 뉴햄프셔주--(뉴스와이어)--GT Advanced Technologies(나스닥:GTAT)는 오늘 Kyma Technologies, Inc.로부터 PVD(plasma vapor deposition) 공정 기술 및 노하우에 대한 독점적인 권리를 취득했다고 발표했다.

Kyma에서 개발된 PVDNC(TM)(PVD of nano-column) 기술은 GaN(gallium nitride) 증착에 앞서 웨이퍼에 AlN(aluminum nitride)의 고품질 성장 개시 계층을 쌓는다. GT는 현재 개발 중인 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 시스템을 보완한 PVD 도구를 상용화할 계획이다. 이렇게 결합된 솔루션은 LED 제조업체가 패턴 또는 평면 웨이퍼에서 GaN(gallium nitride) 템플릿을 대량으로 저렴하게 생산할 수 있는 수단이 될 것이다. GT는 이미 Kyma의 PVDNC 기술을 통합하는 대량 프로토타입 도구를 보유하고 있고 2015년 전반기에 생산 지원 도구를 제공할 것으로 기대된다.

GT의 사장 겸 CEO인 Tom Gutierrez는 “Kyma의 혁신적인 ”나노기둥형“ PVDNC 기술은 확대 중인 우리의 LED 제품 기반에 중요한 요소를 더한다. 우리의 목표는 LED 제조의 품질을 높이고 비용을 낮추는 다양한 솔루션을 제공하는 것이다. GT의 PVD AlN 도구와 현재 개발 중인 HVPE 시스템의 조합은 LED 제조업체에게 오늘날의 최신 제조 기술에 비해 저렴한 epi 지원 웨이퍼 생산 솔루션을 제공할 것으로 기대된다”고 말했다.

Kyma의 사장 겸 CEO인 Keith Evans는 “GT가 PVDNC 기술을 상용화하기로 결정했다니 기쁘다. 우리는 오랜 시간에 걸친 AlN 템플릿 혁신과 생산 과정에서 나노기둥형 AIN 필름이 LED 업계에 실질적이고 검증된 혜택을 가져다 줄 것으로 확신하게 되었다”고 밝혔다.

오늘날 epi 웨이퍼에서의 GaN 증착은 느리고 비용이 높은 MOCVD 도구에서 이루어진다. PVD와 HVPE 공정의 조합으로 저비용 GaN 템플릿을 만들면 MOCVD 도구가 덜 필요하게 되므로 제조업체가 기존 LED 생산 라인의 처리량은 높이고 자본 지출은 줄일 수 있게 된다.

GT Advanced Technologies Inc. 소개
GT Advanced Technologies Inc.는 글로벌 소비자 가전제품, 파워일렉트로닉스, 태양광 및 LED 업계를 위한 고급 자재와 혁신적인 결정 성장 장비를 생산하는 다양한 기술을 보유한 선도업체이다. GT의 기술 혁신으로 고급 자재의 사용이 가속화되어 다양한 글로벌 시장 부문에서 새로운 세대의 제품이 나타난다. GT Advanced Technologies에 대한 자세한 정보는 www.gtat.com에서 참조하면 된다.

미래에 대한 진술

다음을 포함하나 이에 국한되지 않는 이 보도 자료의 특정 정보는 비즈니스와 업계에 대한 회사의 미래에 대한 기대, 계획, 제품 및 전망에 관계되며 이는 1995년 증권소송개혁법의 세이프 하버(safe-harbor) 조항의 목적에 있어 “미래에 대한 진술”을 이룹니다. HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 시스템을 보완하는 PVD 도구를 상용화하려는 회사의 계획, Kyma로부터 라이선스를 취득한 PVD 기술을 성공적으로 개발하고 판매할 수 있는 회사의 능력, 결합 솔루션(PVD와 HVPE 도구)은 LED 제조업체에게 패턴 또는 평면 웨이퍼에서 GaN(gallium nitride) 템플릿을 대량으로 저렴하게 생산할 수 있는 솔루션을 제공, 회사는 2015년 전반기에 생산이 가능한 도구를 제공할 것으로 기대됨, 회사가 LED 제품 기반을 확대 중, 회사의 목표는 LED 제조의 품질을 높이고 비용을 낮추는 다양한 솔루션을 제공하는 것,

PVD AlN 도구와 개발 중인 HVPE 시스템의 조합은 LED 제조업체에게 현재 기술보다 저렴하게 epi 지원 웨이퍼를 생산할 수 있는 솔루션을 제공할 것으로 기대됨, 제조업체가 저비용 GaN 템플릿 생산을 위해 결합된 PVD 및 HVPE 공정을 이용하면 MOCVD 도구가 덜 필요하므로 기존 LED 생산 라인의 처리량을 높이고 자본 지출을 줄일 수 있음. 이러한 미래에 대한 진술은 성능에 대한 보장이 아니고 여러 불확실성 및 기타 요인에 의해 달라질 수 있으며 그러한 요인은 회사의 통제 권한 밖에 있을 수 있으므로 실제 상황은 이러한 진술에서 명시 또는 암시된 것과 크게 다를 수 있습니다. 미래에 대한 진술에서 명시 또는 암시된 것과 실제 상황을 크게 달라지게 만들 가능성이 있는 요소에는 신제품 개발 및 상용화를 완료하는 회사의 능력, 수요 감소의 지속 및/또는 회사 장비 공급에 비해 과도하게 큰 시장의 영향, 전반적인 경기 불황과 엄격한 신용대출시장이 회사 제품에 대한 수요에 주는 부정적인 영향, 중국 및 기타 국가와 관련된 무역 분쟁으로 PV 및 기타 장비의 판매가 제한됨, 정부 인센티브의 변경으로 태양광 제품에 대한 수요가 감소하여 결과적으로 회사의 장비에 대한 수요가 감소할 가능성, 기술 변화로 인해 기존 제품 또는 제안된 제품이나 기술이 더 이상 쓸모가 없게 됨, 회사가 지적 재산권을 보호하지 못함, 다른 제조업체와의 경쟁이 심화됨, 환율 변동과 신용대출시장 및 경제 상황으로 인해 회사의 제품에 대한 수요가 감소, 그리고 2013년 9월 28일에 종료된 분기에 대한 양식 10-Q의 분기별 보고서에서 “위험 요소” 주제 아래에 있는 진술을 포함하여 증권 거래 위원회에 대한 GT Advanced Technologies Inc.의 제출 서류에 규정된 다양한 기타 위험 요소가 있습니다. 본 보도 자료의 진술은 이러한 중요한 요소를 고려하여 평가해야 합니다. 이 보도 자료의 진술은 보도 자료 공개 당시 GT Advanced Technologies Inc.의 기대치와 믿음을 반영합니다. GT Advanced Technologies Inc.는 앞으로의 상황과 개발 진행에 따라 이러한 기대치와 믿음이 달라질 수 있음을 밝힙니다. GT Advanced Technologies Inc.는 새로운 정보, 향후 상황 또는 기타 원인에 의해 미래에 대한 진술을 수정하거나 변경할 의무가 없음을 명시적으로 밝히는 바입니다.

웹사이트: http://www.gtat.com/

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